RU1J002 Rohm Semiconductor - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
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JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
RU1J002YNTCL Datasheet RU1J002YNTCL - Rohm Semiconductor RU1J002YNTCLTR-ND RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F 39,000 - 即時 有り: 39,000 ¥4.51767 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ N-Channel MOSFET(金属酸化物) 50V 200mA (Ta) 0.9V、4.5V 2.2オーム @ 200mA、4.5V 800mV @ 1mA
-
±8V 26pF @ 10V
-
150mW(Ta) 150°C(TJ) 面実装 UMT3F SC-85
RU1J002YNTCL Datasheet RU1J002YNTCL - Rohm Semiconductor RU1J002YNTCLCT-ND RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F 39,469 - 即時 有り: 39,469 ¥26.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ N-Channel MOSFET(金属酸化物) 50V 200mA (Ta) 0.9V、4.5V 2.2オーム @ 200mA、4.5V 800mV @ 1mA
-
±8V 26pF @ 10V
-
150mW(Ta) 150°C(TJ) 面実装 UMT3F SC-85
RU1J002YNTCL Datasheet RU1J002YNTCL - Rohm Semiconductor RU1J002YNTCLDKR-ND RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F 39,469 - 即時 有り: 39,469 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
-
アクティブ N-Channel MOSFET(金属酸化物) 50V 200mA (Ta) 0.9V、4.5V 2.2オーム @ 200mA、4.5V 800mV @ 1mA
-
±8V 26pF @ 10V
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150mW(Ta) 150°C(TJ) 面実装 UMT3F SC-85
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