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RQ3G100 Rohm Semiconductor - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
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JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
RQ3G100GNTB Datasheet RQ3G100GNTB - Rohm Semiconductor RQ3G100GNTBTR-ND RQ3G100GNTB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT 0 有り: 0 ¥20.53067 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10A(Ta) 4.5V、10V 14.3ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 1mA 8.4nC @ 10V ±20V 615pF @ 20V
-
2W(Ta) 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3) 8-PowerVDFN
RQ3G100GNTB Datasheet RQ3G100GNTB - Rohm Semiconductor RQ3G100GNTBCT-ND RQ3G100GNTB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT 0 有り: 0 ¥58.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10A(Ta) 4.5V、10V 14.3ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 1mA 8.4nC @ 10V ±20V 615pF @ 20V
-
2W(Ta) 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3) 8-PowerVDFN
RQ3G100GNTB Datasheet RQ3G100GNTB - Rohm Semiconductor RQ3G100GNTBDKR-ND RQ3G100GNTB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT 0 有り: 0 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10A(Ta) 4.5V、10V 14.3ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 1mA 8.4nC @ 10V ±20V 615pF @ 20V
-
2W(Ta) 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3) 8-PowerVDFN
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