FDN360 onsemi - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
単価
JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
FDN360P Datasheet FDN360P - onsemi FDN360PTR-ND FDN360P onsemi MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3 0 有り: 0 ¥13.81033 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
PowerTrench® アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 2A(Ta) 4.5V、10V 80ミリオーム @ 2A、10V 3V @ 250µA 9nC @ 10V ±20V 298pF @ 15V
-
500mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
FDN360P Datasheet FDN360P - onsemi FDN360PCT-ND FDN360P onsemi MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3 0 有り: 0 ¥48.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
PowerTrench® アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 2A(Ta) 4.5V、10V 80ミリオーム @ 2A、10V 3V @ 250µA 9nC @ 10V ±20V 298pF @ 15V
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500mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
FDN360P Datasheet FDN360P - onsemi FDN360PDKR-ND FDN360P onsemi MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3 0 有り: 0 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
PowerTrench® アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 2A(Ta) 4.5V、10V 80ミリオーム @ 2A、10V 3V @ 250µA 9nC @ 10V ±20V 298pF @ 15V
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500mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
FDN360P-NBGT003B Datasheet FDN360P-NBGT003B - onsemi FDN360P-NBGT003B-ND
FDN360P-NBGT003B onsemi MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 0 有り: 0
生産中止品
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テープ&リール(TR) PowerTrench® 生産中止品 Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 2A(Ta) 4.5V、10V 80ミリオーム @ 2A、10V 3V @ 250µA 9nC @ 10V ±20V 298pF @ 15V
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500mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
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11:54:10 9/18/2021