IXDN609 IXYS Integrated Circuits Division - PMIC - ゲートドライバ

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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
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JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 駆動構成 チャンネルタイプ ドライバ数 ゲートタイプ 電圧 - 供給 論理電圧 - VIL、VIH 電流 - ピーク出力(ソース/シンク) 入力タイプ ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) 立ち上がり/立ち下がり時間(標準) 動作温度 取り付けタイプ パッケージ/ケース サプライヤデバイスパッケージ
   
IXDN609SIA Datasheet IXDN609SIA - IXYS Integrated Circuits Division IXDN609SIA-ND IXDN609SIA IXYS Integrated Circuits Division IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 1,200 - 即時 有り: 1,200 ¥219.00000 1 Minimum: 1 チューブ
-
アクティブ ローサイド シングル 1 IGBT、Nチャンネル、PチャンネルMOSFET 4.5V~35V 0.8V、3V 9A、9A 非反転
-
22ns、15ns -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SOIC
IXDN609CI Datasheet IXDN609CI - IXYS Integrated Circuits Division IXDN609CI-ND IXDN609CI IXYS Integrated Circuits Division IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5 467 - 即時 有り: 467 ¥403.00000 1 Minimum: 1 チューブ
-
アクティブ ローサイド シングル 1 IGBT、Nチャンネル、PチャンネルMOSFET 4.5V~35V 0.8V、3V 9A、9A 非反転
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22ns、15ns -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220-5 TO-220-5
IXDN609YI Datasheet IXDN609YI - IXYS Integrated Circuits Division IXDN609YI-ND IXDN609YI IXYS Integrated Circuits Division IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5 1,845 - 即時 有り: 1,845 ¥403.00000 1 Minimum: 1 チューブ
-
アクティブ ローサイド シングル 1 IGBT、Nチャンネル、PチャンネルMOSFET 4.5V~35V 0.8V、3V 9A、9A 非反転
-
22ns、15ns -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-6、D²Pak(5リード + タブ)、TO-263BA TO-263-5
IXDN609SIATR Datasheet IXDN609SIATR - IXYS Integrated Circuits Division 212-IXDN609SIATR-ND IXDN609SIATR IXYS Integrated Circuits Division IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 0 有り: 0
標準リードタイム50週間
¥104.87650 2,000 Minimum: 2,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ ローサイド シングル 1 IGBT、Nチャンネル、PチャンネルMOSFET 4.5V~35V 0.8V、3V 9A、9A 非反転
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22ns、15ns -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SOIC
IXDN609SIATR Datasheet IXDN609SIATR - IXYS Integrated Circuits Division 212-IXDN609SIACT-ND IXDN609SIATR IXYS Integrated Circuits Division IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 1,150 - 即時 有り: 1,150 ¥219.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ ローサイド シングル 1 IGBT、Nチャンネル、PチャンネルMOSFET 4.5V~35V 0.8V、3V 9A、9A 非反転
-
22ns、15ns -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SOIC
IXDN609SIATR Datasheet IXDN609SIATR - IXYS Integrated Circuits Division 212-IXDN609SIADKR-ND IXDN609SIATR IXYS Integrated Circuits Division IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 1,150 - 即時 有り: 1,150 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
-
アクティブ ローサイド シングル 1 IGBT、Nチャンネル、PチャンネルMOSFET 4.5V~35V 0.8V、3V 9A、9A 非反転
-
22ns、15ns -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SOIC
IXDN609PI Datasheet IXDN609PI - IXYS Integrated Circuits Division IXDN609PI-ND IXDN609PI IXYS Integrated Circuits Division IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP 827 - 即時 有り: 827 ¥219.00000 1 Minimum: 1 チューブ
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アクティブ ローサイド シングル 1 IGBT、Nチャンネル、PチャンネルMOSFET 4.5V~35V 0.8V、3V 9A、9A 非反転
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22ns、15ns -55°C~150°C(TJ) スルーホール 8-DIP(0.300インチ、7.62mm) 8-DIP
IXDN609SITR Datasheet IXDN609SITR - IXYS Integrated Circuits Division IXDN609SITR-ND IXDN609SITR IXYS Integrated Circuits Division IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 0 有り: 0
標準リードタイム50週間
¥176.04250 2,000 Minimum: 2,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ ローサイド シングル 1 IGBT、Nチャンネル、PチャンネルMOSFET 4.5V~35V 0.8V、3V 9A、9A 非反転
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22ns、15ns -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)露出パッド 8-SOIC-EP
IXDN609SITR Datasheet IXDN609SITR - IXYS Integrated Circuits Division IXDN609SICT-ND IXDN609SITR IXYS Integrated Circuits Division IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 0 有り: 0
標準リードタイム50週間
¥367.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
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アクティブ ローサイド シングル 1 IGBT、Nチャンネル、PチャンネルMOSFET 4.5V~35V 0.8V、3V 9A、9A 非反転
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22ns、15ns -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)露出パッド 8-SOIC-EP
IXDN609SITR Datasheet IXDN609SITR - IXYS Integrated Circuits Division IXDN609SIDKR-ND IXDN609SITR IXYS Integrated Circuits Division IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 0 有り: 0
標準リードタイム50週間
Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
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アクティブ ローサイド シングル 1 IGBT、Nチャンネル、PチャンネルMOSFET 4.5V~35V 0.8V、3V 9A、9A 非反転
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22ns、15ns -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)露出パッド 8-SOIC-EP
IXDN609SI Datasheet IXDN609SI - IXYS Integrated Circuits Division CLA364-ND IXDN609SI IXYS Integrated Circuits Division IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 0 有り: 0
標準リードタイム50週間
¥367.00000 1 Minimum: 1 チューブ
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アクティブ ローサイド シングル 1 IGBT、Nチャンネル、PチャンネルMOSFET 4.5V~35V 0.8V、3V 9A、9A 非反転
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22ns、15ns -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)露出パッド 8-SOIC-EP
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