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IRLML6302 Infineon Technologies - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
IRLML6302TRPBF Datasheet IRLML6302TRPBF - Infineon Technologies IRLML6302PBFTR-ND IRLML6302TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 0 有り: 0 ¥15.50667 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
HEXFET® アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 780mA (Ta) 2.7V、4.5V 600mOhm @ 610mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 3.6nC @ 4.45V ±12V 97pF @ 15V
-
540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) Surface Mount Micro3™/SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
IRLML6302TRPBF Datasheet IRLML6302TRPBF - Infineon Technologies IRLML6302PBFCT-ND IRLML6302TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 0 有り: 0 ¥54.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
HEXFET® アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 780mA (Ta) 2.7V、4.5V 600mOhm @ 610mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 3.6nC @ 4.45V ±12V 97pF @ 15V
-
540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) Surface Mount Micro3™/SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
IRLML6302TRPBF Datasheet IRLML6302TRPBF - Infineon Technologies IRLML6302PBFDKR-ND IRLML6302TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 0 有り: 0 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
HEXFET® アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 780mA (Ta) 2.7V、4.5V 600mOhm @ 610mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 3.6nC @ 4.45V ±12V 97pF @ 15V
-
540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) Surface Mount Micro3™/SOT-23 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
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