IRF9393 Infineon Technologies - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
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JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
IRF9393TRPBF Datasheet IRF9393TRPBF - Infineon Technologies IRF9393TRPBFTR-ND IRF9393TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO 4,000 - 即時 有り: 4,000 ¥33.26275 4,000 Minimum: 4,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
HEXFET® アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 9.2A(Ta) 10V、20V 13.3ミリオーム @ 9.2A、20V 2.4V @ 25µA 38nC @ 10V ±25V 1110pF @ 25V
-
2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
IRF9393TRPBF Datasheet IRF9393TRPBF - Infineon Technologies IRF9393TRPBFCT-ND IRF9393TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO 10,985 - 即時 有り: 10,985 ¥87.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
HEXFET® アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 9.2A(Ta) 10V、20V 13.3ミリオーム @ 9.2A、20V 2.4V @ 25µA 38nC @ 10V ±25V 1110pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
IRF9393TRPBF Datasheet IRF9393TRPBF - Infineon Technologies IRF9393TRPBFDKR-ND IRF9393TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO 10,985 - 即時 有り: 10,985 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
HEXFET® アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 9.2A(Ta) 10V、20V 13.3ミリオーム @ 9.2A、20V 2.4V @ 25µA 38nC @ 10V ±25V 1110pF @ 25V
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2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
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