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IRF8707 Infineon Technologies - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
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最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
IRF8707TRPBF Datasheet IRF8707TRPBF - Infineon Technologies IRF8707TRPBFTR-ND IRF8707TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 8,000 - 即時 有り: 8,000 ¥25.23975 4,000 Minimum: 4,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
HEXFET® アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 11A(Ta) 4.5V、10V 11.9ミリオーム @ 11A、10V 2.35V @ 25µA 9.3nC @ 4.5V ±20V 760pF @ 15V
-
2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
IRF8707TRPBF Datasheet IRF8707TRPBF - Infineon Technologies IRF8707TRPBFCT-ND IRF8707TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 11,255 - 即時 有り: 11,255 ¥66.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
HEXFET® アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 11A(Ta) 4.5V、10V 11.9ミリオーム @ 11A、10V 2.35V @ 25µA 9.3nC @ 4.5V ±20V 760pF @ 15V
-
2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
IRF8707TRPBF Datasheet IRF8707TRPBF - Infineon Technologies IRF8707TRPBFDKR-ND IRF8707TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 11,255 - 即時 有り: 11,255 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
HEXFET® アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 11A(Ta) 4.5V、10V 11.9ミリオーム @ 11A、10V 2.35V @ 25µA 9.3nC @ 4.5V ±20V 760pF @ 15V
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2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
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