IPB019 Infineon Technologies - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
IPB019N08N3GATMA1 Datasheet IPB019N08N3GATMA1 - Infineon Technologies IPB019N08N3GATMA1TR-ND IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 4,000 - 即時 有り: 4,000 ¥522.40300 1,000 Minimum: 1,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80V 180A(Tc) 6V、10V 1.9ミリオーム @ 100A、10V 3.5V @ 270µA 206nC @ 10V ±20V 14200pF @ 40V
-
300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7 TO-263-7、D²Pak(6リード + タブ)
IPB019N08N3GATMA1 Datasheet IPB019N08N3GATMA1 - Infineon Technologies IPB019N08N3GATMA1CT-ND IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 5,000 - 即時 有り: 5,000 ¥830.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80V 180A(Tc) 6V、10V 1.9ミリオーム @ 100A、10V 3.5V @ 270µA 206nC @ 10V ±20V 14200pF @ 40V
-
300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7 TO-263-7、D²Pak(6リード + タブ)
IPB019N08N3GATMA1 Datasheet IPB019N08N3GATMA1 - Infineon Technologies IPB019N08N3GATMA1DKR-ND IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 5,000 - 即時 有り: 5,000 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80V 180A(Tc) 6V、10V 1.9ミリオーム @ 100A、10V 3.5V @ 270µA 206nC @ 10V ±20V 14200pF @ 40V
-
300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7 TO-263-7、D²Pak(6リード + タブ)
IPB019N06L3GATMA1 Datasheet IPB019N06L3GATMA1 - Infineon Technologies IPB019N06L3GATMA1TR-ND IPB019N06L3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 0 有り: 0 ¥251.87300 1,000 Minimum: 1,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 120A(Tc) 4.5V、10V 1.9ミリオーム @ 100A、10V 2.2V @ 196µA 166nC @ 4.5V ±20V 28000pF @ 30V
-
250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3 TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
IPB019N06L3GATMA1 Datasheet IPB019N06L3GATMA1 - Infineon Technologies IPB019N06L3GATMA1CT-ND IPB019N06L3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 0 有り: 0 ¥400.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 120A(Tc) 4.5V、10V 1.9ミリオーム @ 100A、10V 2.2V @ 196µA 166nC @ 4.5V ±20V 28000pF @ 30V
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250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3 TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
IPB019N06L3GATMA1 Datasheet IPB019N06L3GATMA1 - Infineon Technologies IPB019N06L3GATMA1DKR-ND IPB019N06L3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 0 有り: 0 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 120A(Tc) 4.5V、10V 1.9ミリオーム @ 100A、10V 2.2V @ 196µA 166nC @ 4.5V ±20V 28000pF @ 30V
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250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3 TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
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