EPC2010 EPC - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
単価
JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
EPC2010C Datasheet EPC2010C - EPC 917-1085-2-ND EPC2010C EPC GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE 5,000 - 即時 有り: 5,000 ¥397.52640 2,500 Minimum: 2,500 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
eGaN® アクティブ Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 200V 22A(Ta) 5V 25ミリオーム @ 12A、5V 2.5V @ 3mA 5.3nC @ 5V +6V、-4V 540pF @ 100V
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-40°C~150°C(TJ) 面実装 ダイ外径(7-はんだ棒) ダイ
EPC2010C Datasheet EPC2010C - EPC 917-1085-1-ND EPC2010C EPC GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE 6,654 - 即時 有り: 6,654 ¥773.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
eGaN® アクティブ Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 200V 22A(Ta) 5V 25ミリオーム @ 12A、5V 2.5V @ 3mA 5.3nC @ 5V +6V、-4V 540pF @ 100V
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-40°C~150°C(TJ) 面実装 ダイ外径(7-はんだ棒) ダイ
EPC2010C Datasheet EPC2010C - EPC 917-1085-6-ND EPC2010C EPC GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE 6,654 - 即時 有り: 6,654 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
eGaN® アクティブ Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 200V 22A(Ta) 5V 25ミリオーム @ 12A、5V 2.5V @ 3mA 5.3nC @ 5V +6V、-4V 540pF @ 100V
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-40°C~150°C(TJ) 面実装 ダイ外径(7-はんだ棒) ダイ
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