トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル | Bipolar (BJT) | Transistors

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メーカー品番	在庫数量	価格	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	トランジスタタイプ	電流 - コレクタ（Ic）（最大）	電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	Vce飽和（最大） @ lb、Ic	電流 - コレクタ遮断（最大）	Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）	電力 - 最大	周波数 - トランジション	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ/ケース	サプライヤデバイスパッケージ

KSA992FBTA TRANS PNP 120V 0.05A TO92-3 onsemi	7,098 在庫あり 126,000 工場	1 : ¥50.00000 カットテープ（CT） 2,000 : ¥10.86000 箱入りテープ（TB）	-	カットテープ（CT）箱入りテープ（TB）	アクティブ	PNP	50 mA	120 V	300mV @ 1mA、10mA	1µA	430 @ 1mA、6V	500 mW	100MHz	150°C（TJ）	スルーホール	TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形リード	TO-92-3
KSA992FATA TRANS PNP 120V 0.05A TO92-3 onsemi	27,790 在庫あり	1 : ¥51.00000 カットテープ（CT） 2,000 : ¥11.55000 箱入りテープ（TB）	-	カットテープ（CT）箱入りテープ（TB）	アクティブ	PNP	50 mA	120 V	300mV @ 1mA、10mA	1µA	200 @ 1mA、6V	500 mW	100MHz	150°C（TJ）	スルーホール	TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形リード	TO-92-3
KSA992FBU TRANS PNP 120V 0.05A TO92-3 onsemi	8,483 在庫あり	1 : ¥51.00000 バルク	-	バルク	アクティブ	PNP	50 mA	120 V	300mV @ 1mA、10mA	1µA	300 @ 1mA、6V	500 mW	100MHz	150°C（TJ）	スルーホール	TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）	TO-92-3
KSA992FTA TRANS PNP 120V 0.05A TO92-3 onsemi	21,317 在庫あり	1 : ¥53.00000 カットテープ（CT） 2,000 : ¥11.69100 箱入りテープ（TB）	-	カットテープ（CT）箱入りテープ（TB）	アクティブ	PNP	50 mA	120 V	300mV @ 1mA、10mA	1µA	300 @ 1mA、6V	500 mW	100MHz	150°C（TJ）	スルーホール	TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形リード	TO-92-3
KSA992FBTA TRANS PNP 120V 0.05A TO92-3 Fairchild Semiconductor	5,671,800 マーケットプレイス	6,617 : ¥7.73719 バルク	-	バルク	アクティブ	PNP	50 mA	120 V	300mV @ 1mA、10mA	1µA	430 @ 1mA、6V	500 mW	100MHz	150°C（TJ）	スルーホール	TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形リード	TO-92-3
KSA992PBU TRANS PNP 120V 0.05A TO92-3 onsemi	0 在庫あり	10,000 : ¥3.44690 バルク	-	バルク	生産中止品	PNP	50 mA	120 V	300mV @ 1mA、10mA	1µA	200 @ 1mA、6V	500 mW	100MHz	150°C（TJ）	スルーホール	TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）	TO-92-3
KSA992PTA TRANS PNP 120V 0.05A TO92-3 onsemi	0 在庫あり	2,000 : ¥4.54100 箱入りテープ（TB）	-	箱入りテープ（TB）	生産中止品	PNP	50 mA	120 V	300mV @ 1mA、10mA	1µA	200 @ 1mA、6V	500 mW	100MHz	150°C（TJ）	スルーホール	TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形リード	TO-92-3

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シングルバイポーラトランジスタ

ディスクリート型のバイポーラ接合トランジスタ（BJT）はオーディオや無線通信、その他の用途でアナログ信号増幅をするために一般的に使用されます。大量生産された最初の半導体デバイスの1つであり、その特性は高周波スイッチング、高電流または高電圧での動作を伴う用途には他のデバイスタイプよりも不利ですが、ノイズおよび歪みの発生を最小限に抑えたアナログ信号再生を必要とする用途では、依然として選ばれている技術です。BJTにはNPNとPNPの2種類があり、これはトランジスタを構成する半導体層の順番を表しています。NPNトランジスタは2つのN型材料の間にある薄いP型半導体で構成されていますが、 PNPトランジスタは2つのP型の間にN型半導体があります。これにより、2 つのタイプは逆極性で動作します。NPNトランジスタは電流を吐き出し、PNPトランジスタは電流を吸い込みます。