トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

品目 : 933
メーカー
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCoolCADDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorfastSiCGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesInventchipIXYS
シリーズ
-C2M™C3M™CoolSiC™CoolSiC™ Gen 2CoolSIC™ M1EE SeriesE-SeriesEasyPACK™FalconG2R™
梱包形態
Digi-Reel®カット テープ(CT)チューブテープ&リール(TR)トレイバルク
FETタイプ
-NチャンネルPチャンネル
技術
SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ)SiCFET(Cascode SiCJFET)SiCFET(炭化ケイ素)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
400 V600 V650 V700 V750 V900 V1000 V1200 V1.2 kV1700 V2000 V3300 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
3A3A(Tc)3.7A(Tc)4A4A(Tc)4.2A(Tc)4.3A(Tc)4.5A(Tc)4.7A(Tc)4.9A(Tc)5A(Tc)5.2A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
0V、18V2.8V10V12V12V、15V15V15V、18V15V、20V16V、20V18V18V、20V20V-
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
6.1ミリオーム @ 146.3A、20V7.2ミリオーム @ 80A、12V7.4ミリオーム @ 80A、12V7.7ミリオーム @ 89.9A、18V8.5ミリオーム @ 146.3A、18V9ミリオーム @ 50A、12V9.9ミリオーム @ 108A、18V10.6ミリオーム @ 90.3A、18V11ミリオーム @ 100A、12V11.3ミリオーム @ 93A、20V11.4ミリオーム @ 70A、12V11.5ミリオーム @ 70A、12V
Id印加時のVgs(th)(最大)
1.5V @ 14mA1.5V @ 4mA1.5V @ 4mA(標準)1.6V @ 4mA1.6V @ 4mA(標準)2V @ 250µA2V @ 6mA2V @ 8mA2.2V @ 14mA2.2V @ 20mA(標準)2.2V @ 2mA(標準)2.2V @ 3mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
5 nC @ 12 V5.3 nC @ 18 V5.5 nC @ 12 V5.9 nC @ 18 V6 nC @ 18 V7.9 nC @ 18 V8 nC @ 12 V8.1 nC @ 12 V8.5 nC @ 18 V9.4 nC @ 18 V9.5 nC @ 15 V9.7 nC @ 18 V
Vgs(最大)
-10V、+20V-8V、+19V4.2V @ 1mA+15V、-4V+15V、-5V±15V15V15V、12V+18V、-15V+18V、-3V+18V、-5V+18V、-8V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
111 pF @ 1000 V124 pF @ 1000 V133 pF @ 1000 V139 pF @ 1000 V142 pF @ 1000 V150 pF @ 600 V150 pF @ 1000 V170 pF @ 800 V182 pF @ 800 V184 pF @ 800 V184 pF @ 1000 V184 pF @ 1360 V
FET機能
-デプリーションモード
電力散逸(最大)
3.7W(Ta)、468W(Tc)3.7W(Ta)、477W(Tc)3.8W(Ta)、150W(Tc)3.8W(Ta)、167W(Tc)3.8W(Ta)、214W(Tc)3.8W(Ta)、341W(Tc)3.8W(Ta)、429W(Tc)26W29W(Tc)32W35W35W(Tc)
動作温度
-60°C~175°C(TJ)-55°C~150°C-55°C~150°C(TJ)-55°C~155°C(TJ)-55°C~175°C-55°C~175°C(TJ)-55°C~200°C(TJ)-55°C~225°C(TJ)-40°C~150°C(TJ)-40°C~175°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
グレード
-自動車
認定
-AEC-Q101
取り付けタイプ
-シャーシマウントスルーホール面実装
サプライヤデバイスパッケージ
4-PDFN(8x8)4-TDFN(8x8)8-DFN(5.2x5.86)8-HPSOF8-PQFN(5x6)、Power56-D2PAK-7D2PAK-7LD2PAK(7-Lead)D3PAKDFN8*8H2PAK-2
パッケージ/ケース
4-PowerTSFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN9-PowerTDFN22-PowerBSOPモジュール-DFN8*8SOT-227-4、miniBLOCTO-220-2TO-247-3TO-247-4
在庫状況
環境規制対応状況
メディア
マーケットプレイス製品
933品目
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表示品目
/ 933
メーカー品番
在庫数量
価格
シリーズ
パッケージ
製品ステータス
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
Id印加時のVgs(th)(最大)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
Vgs(最大)
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
FET機能
電力散逸(最大)
動作温度
グレード
認定
取り付けタイプ
サプライヤデバイスパッケージ
パッケージ/ケース
UF3C120080B7S
UF3C120400B7S
SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Qorvo
287
在庫あり
1 : ¥741.00000
カット テープ(CT)
800 : ¥479.70500
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(Cascode SiCJFET)
1200 V
7.6A(Tc)
12V
515ミリオーム @ 5A、12V
6V @ 10mA
22.5 nC @ 15 V
±25V
739 pF @ 800 V
-
100W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
D2PAK-7
TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
TO-247-3
G2R1000MT17D
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
7,841
在庫あり
1 : ¥842.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1700 V
5A(Tc)
20V
1.2オーム @ 2A、20V
5.5V @ 500µA
11 nC @ 20 V
+25V、-10V
111 pF @ 1000 V
-
44W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
PG-TO263-7
IMBF170R1K0M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Infineon Technologies
1,661
在庫あり
1 : ¥845.00000
カット テープ(CT)
1,000 : ¥333.51500
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1700 V
5.2A(Tc)
12V、15V
1000ミリオーム @ 1A、15V
5.7V @ 1.1mA
5 nC @ 12 V
+20V、-10V
275 pF @ 1000 V
-
68W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
PG-TO263-7-13
TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
C3M0280090J-TR
C3M0280090J-TR
SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
15,132
在庫あり
1 : ¥860.00000
カット テープ(CT)
800 : ¥636.38250
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
900 V
11A(Tc)
15V
360ミリオーム @ 7.5A、15V
3.5V @ 1.2mA
9.5 nC @ 15 V
+18V、-8V
150 pF @ 600 V
-
50W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
TO-263-7
TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
PG-TO263-7
IMBF170R650M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Infineon Technologies
1,893
在庫あり
1 : ¥952.00000
カット テープ(CT)
1,000 : ¥391.25000
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1700 V
7.4A(Tc)
12V、15V
650ミリオーム @ 1.5A、15V
5.7V @ 1.7mA
8 nC @ 12 V
+20V、-10V
422 pF @ 1000 V
-
88W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
PG-TO263-7-13
TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
UF3C120080B7S
UF3C170400B7S
SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Qorvo
4,153
在庫あり
1 : ¥972.00000
カット テープ(CT)
800 : ¥630.57875
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(Cascode SiCJFET)
1700 V
7.6A(Tc)
12V
515ミリオーム @ 5A、12V
6V @ 10mA
23.1 nC @ 15 V
±25V
734 pF @ 1200 V
-
100W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
D2PAK-7
TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
TO-247-3
G3R160MT12D
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
3,097
在庫あり
1 : ¥1,009.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
22A(Tc)
15V
192ミリオーム @ 10A、15V
2.69V @ 5mA
28 nC @ 15 V
±15V
730 pF @ 800 V
-
123W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
IMBG120R350M1HXTMA1
IMBG120R350M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
Infineon Technologies
1,515
在庫あり
1 : ¥1,086.00000
カット テープ(CT)
1,000 : ¥447.87100
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
4.7A(Tc)
-
468ミリオーム @ 2A、18V
5.7V @ 1mA
5.9 nC @ 18 V
+18V、-15V
196 pF @ 800 V
-
65W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
PG-TO263-7-12
TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
TO-247-3
G3R450MT17D
SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
2,662
在庫あり
1 : ¥1,116.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1700 V
9A(Tc)
15V
585ミリオーム @ 4A、15V
2.7V @ 2mA
18 nC @ 15 V
±15V
454 pF @ 1000 V
-
88W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
PG-TO263-7
IMBF170R450M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Infineon Technologies
904
在庫あり
1 : ¥1,130.00000
カット テープ(CT)
1,000 : ¥491.96800
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1700 V
9.8A(Tc)
12V、15V
450ミリオーム @ 2A、15V
5.7V @ 2.5mA
11 nC @ 12 V
+20V、-10V
610 pF @ 1000 V
-
107W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
PG-TO263-7-13
TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
C2D10120D
C3M0350120D
SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,443
在庫あり
1 : ¥1,145.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
7.6A(Tc)
15V
455ミリオーム @ 3.6A、15V
3.6V @ 1mA
19 nC @ 15 V
+15V、-4V
345 pF @ 1000 V
-
50W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
UF3C120080B7S
UF3C065080B7S
SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Qorvo
2,154
在庫あり
1 : ¥1,162.00000
カット テープ(CT)
800 : ¥754.37375
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(Cascode SiCJFET)
650 V
27A(Tc)
-
105ミリオーム @ 20A、12V
6V @ 10mA
23 nC @ 12 V
±25V
760 pF @ 100 V
-
136.4W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
D2PAK-7
TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
TO-247-3L
UJ4C075060K3S
SICFET N-CH 750V 28A TO247-3
Qorvo
975
在庫あり
1 : ¥1,241.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(Cascode SiCJFET)
750 V
28A(Tc)
-
74ミリオーム @ 20A、12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1422 pF @ 100 V
-
155W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
GA20JT12-263
G3R450MT17J-TR
1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
GeneSiC Semiconductor
1,504
在庫あり
1 : ¥1,244.00000
カット テープ(CT)
800 : ¥940.84375
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1700 V
8A(Tc)
15V
585ミリオーム @ 4A、15V
2.7V @ 2mA
18 nC @ 15 V
+15V、-5V
454 pF @ 1000 V
-
71W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
TO-263-7
TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
UJ4SC075006K4S
UJ4C075060K4S
SICFET N-CH 750V 28A TO247-4
Qorvo
1,183
在庫あり
1 : ¥1,314.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(Cascode SiCJFET)
750 V
28A(Tc)
-
74ミリオーム @ 20A、12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1422 pF @ 100 V
-
155W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
NTH4L160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
onsemi
900
在庫あり
2,700
工場
1 : ¥1,315.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
17.3A(Tc)
20V
224ミリオーム @ 12A、20V
4.3V @ 2.5mA
34 nC @ 20 V
+25V、-15V
665 pF @ 800 V
-
111W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-4L
TO-247-4
CoolSiC_MOSFET
IMBG120R140M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Infineon Technologies
1,020
在庫あり
1 : ¥1,329.00000
カット テープ(CT)
1,000 : ¥585.51000
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
18A(Tc)
-
189ミリオーム @ 6A、18V
5.7V @ 2.5mA
13.4 nC @ 18 V
+18V、-15V
491 pF @ 800 V
-
107W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
PG-TO263-7-12
TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
TO-247N
SCT3120ALGC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Rohm Semiconductor
5,567
在庫あり
1 : ¥1,551.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
650 V
21A(Tc)
18V
156ミリオーム @ 6.7A、18V
5.6V @ 3.33mA
38 nC @ 18 V
+22V、-4V
460 pF @ 500 V
-
103W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247N
TO-247-3
C2D10120D
C2M0280120D
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
14,250
在庫あり
1 : ¥1,561.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
10A(Tc)
20V
370ミリオーム @ 6A、20V
2.8V @ 1.25mA(標準)
20.4 nC @ 20 V
+25V、-10V
259 pF @ 1000 V
-
62.5W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IMW120R090M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Infineon Technologies
647
在庫あり
1 : ¥1,563.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
26A(Tc)
15V、18V
117ミリオーム @ 8.5A、18V
5.7V @ 3.7mA
21 nC @ 18 V
+23V、-7V
707 pF @ 800 V
-
115W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247-3
G3R75MT12D
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
2,781
在庫あり
1 : ¥1,625.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
41A(Tc)
15V
90ミリオーム @ 20A、15V
2.69V @ 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V、-10V
1560 pF @ 800 V
-
207W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
UJ4SC075006K4S
UJ4C075033K4S
750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Qorvo
1,120
在庫あり
1 : ¥1,663.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(Cascode SiCJFET)
750 V
47A(Tc)
12V
41ミリオーム @ 30A、12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1400 pF @ 400 V
-
242W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R75MT12K
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
416
在庫あり
1 : ¥1,667.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
41A(Tc)
15V
90ミリオーム @ 20A、15V
2.69V @ 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V、-10V
1560 pF @ 800 V
-
207W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247-4
TO-247-4
GA20JT12-263
G3R75MT12J-TR
1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
GeneSiC Semiconductor
5,604
在庫あり
1 : ¥1,707.00000
カット テープ(CT)
800 : ¥1,290.56250
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
38A(Tc)
15V、18V
85ミリオーム @ 20A、18V
2.7V @ 10mA
47 nC @ 15 V
+22V、-10V
1545 pF @ 800 V
-
196W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
TO-263-7
TO-263-8、D2PAK(7リード + タブ)、TO-263CA
TO-247N
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Rohm Semiconductor
2,874
在庫あり
1 : ¥1,722.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET(炭化ケイ素)
1200 V
17A(Tc)
18V
208ミリオーム @ 5A、18V
5.6V @ 2.5mA
42 nC @ 18 V
+22V、-4V
398 pF @ 800 V
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103W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-247N
TO-247-3
表示品目
/ 933

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル


ディスクリート型の電界効果トランジスタ(FET)は、パワー変換、モータ制御、ソリッドステート照明など、大電流を通電しつつ高周波数でのオンオフ切り換え可能な特性が有利な用途で広く使用されます。数百ボルト以下の電圧定格を必要とする用途でほぼ全面的に使用されていますが、これを超える電圧定格ではIGBTなど他のタイプのデバイスが有利になります。