FET、MOSFETアレイ

品目 : 5
梱包形態
Digi-Reel®カット テープ(CT)テープ&リール(TR)
構成
Nチャネル(デュアル)コモンソース × 2Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)3Nチャンネル(ハーフブリッジ + 同期式ブートストラップ)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
60V80V100V120V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
1.7A1.7A、500mA3.4A23A28A
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
4.4ミリオーム @ 20A、5V5.5ミリオーム @ 20A、5V60ミリオーム @ 4A、5V70ミリオーム @ 2A、5V320ミリオーム @ 2A、 5V、 3.3オーム @ 2A、 5V
Id印加時のVgs(th)(最大)
2.5V @ 100µA、2.5V @ 20µA2.5V @ 600µA2.5V @ 700µA2.5V @ 7mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
0.16nC @ 5V、 0.044nC @ 5V0.73nC @ 5V0.8nC @ 5V6.5nC @ 5V6.8nC @ 5V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
16pF @ 50V、 7pF @ 50V75pF @ 50V80pF @ 60V760pF @ 40V830pF @ 30V
パッケージ/ケース
9-VFBGAダイ
サプライヤデバイスパッケージ
9-BGA(1.35x1.35)ダイ
在庫状況
環境規制対応状況
メディア
マーケットプレイス製品
5品目

表示品目
/ 5
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メーカー品番
在庫数量
価格
シリーズ
パッケージ
製品ステータス
技術
構成
FET機能
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
Id印加時のVgs(th)(最大)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
電力 - 最大
動作温度
取り付けタイプ
パッケージ/ケース
サプライヤデバイスパッケージ
eGaN Series
EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
72,524
在庫あり
1 : ¥297.00000
カット テープ(CT)
2,500 : ¥133.76120
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブGaNFET(窒化ガリウム)Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)-100V1.7A70ミリオーム @ 2A、5V2.5V @ 600µA0.73nC @ 5V75pF @ 50V--40°C~150°C(TJ)面実装ダイダイ
eGaN Series
EPC2103
GANFET 2N-CH 80V 28A DIE
EPC
8,110
在庫あり
1 : ¥1,564.00000
カット テープ(CT)
500 : ¥985.44600
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブGaNFET(窒化ガリウム)Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)-80V28A5.5ミリオーム @ 20A、5V2.5V @ 7mA6.5nC @ 5V760pF @ 40V--40°C~150°C(TJ)面実装ダイダイ
eGaN Series
EPC2110
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
EPC
12,490
在庫あり
1 : ¥270.00000
カット テープ(CT)
2,500 : ¥160.60720
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブGaNFET(窒化ガリウム)Nチャネル(デュアル)コモンソース × 2-120V3.4A60ミリオーム @ 4A、5V2.5V @ 700µA0.8nC @ 5V80pF @ 60V--40°C~150°C(TJ)-ダイダイ
eGaN Series
EPC2107
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
EPC
5,442
在庫あり
1 : ¥326.00000
カット テープ(CT)
2,500 : ¥146.70560
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブGaNFET(窒化ガリウム)3Nチャンネル(ハーフブリッジ + 同期式ブートストラップ)-100V1.7A、500mA320ミリオーム @ 2A、 5V、 3.3オーム @ 2A、 5V2.5V @ 100µA、2.5V @ 20µA0.16nC @ 5V、 0.044nC @ 5V16pF @ 50V、 7pF @ 50V--40°C~150°C(TJ)面実装9-VFBGA9-BGA(1.35x1.35)
eGaN Series
EPC2102
GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
EPC
125
在庫あり
1 : ¥1,486.00000
カット テープ(CT)
500 : ¥936.78200
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブGaNFET(窒化ガリウム)Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)-60V23A4.4ミリオーム @ 20A、5V2.5V @ 7mA6.8nC @ 5V830pF @ 30V--40°C~150°C(TJ)面実装ダイダイ
表示品目
/ 5

FET、MOSFETアレイ


電界効果トランジスタ(FET)は、電界を利用して電流を制御する電子デバイスです。ゲート端子に電圧をかけると、ドレイン~ソース端子間の導電率が変化します。FETは1種類のキャリヤで動作するため、ユニポーラトランジスタとも呼ばれます。つまり、FETは動作時に電荷のキャリヤとして電子か正孔を利用しますが、両方を利用するわけではありません。電界効果トランジスタは、一般に低周波数で非常に高い入力インピーダンスを示します。