Vishay General Semiconductor - Diodes Division シングルダイオード

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技術
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）
電流 - 平均整流（Io）
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）
速度
逆回復時間（trr）
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ
Vr、F印加時の静電容量
取り付けタイプ
パッケージ/ケース
サプライヤデバイスパッケージ
動作温度 - ジャンクション
6
在庫あり
1 : ¥29,538.00000
バルク
-
バルク
生産中止品
標準
2500 V
3000A
1.41 V @ 4000 A
標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）
-
75 mA @ 2500 V
-
クランプ留め
DO-200AC、K-PUK
DO-200AC、K-PUK
-
0
在庫あり
生産中止品
-
バルク
生産中止品
標準
1800 V
1650A
2.6 V @ 4000 A
標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）
3 µs
75 mA @ 1800 V
-
クランプ留め
DO-200AC、K-PUK
DO-200AC、K-PUK
-
0
在庫あり
生産中止品
-
バルク
生産中止品
標準
2500 V
1650A
2.6 V @ 4000 A
標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）
3 µs
75 mA @ 2500 V
-
クランプ留め
DO-200AC、K-PUK
DO-200AC、K-PUK
-
0
在庫あり
生産中止品
-
バルク
生産中止品
標準
4500 V
990A
2.9 V @ 2000 A
標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）
5 µs
100 mA @ 4500 V
-
クランプ留め
DO-200AC、K-PUK
DO-200AC、K-PUK
-
0
在庫あり
生産中止品
-
バルク
生産中止品
標準
2400 V
2080A
1.81 V @ 4000 A
標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）
-
75 mA @ 2400 V
-
クランプ留め
DO-200AC、K-PUK
DO-200AC、K-PUK
-
0
在庫あり
生産中止品
-
バルク
生産中止品
標準
3000 V
2080A
1.81 V @ 4000 A
標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）
-
75 mA @ 3000 V
-
クランプ留め
DO-200AC、K-PUK
DO-200AC、K-PUK
-
0
在庫あり
生産中止品
-
バルク
生産中止品
標準
3600 V
2080A
1.81 V @ 4000 A
標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）
-
75 mA @ 3600 V
-
クランプ留め
DO-200AC、K-PUK
DO-200AC、K-PUK
-
0
在庫あり
生産中止品
-
バルク
生産中止品
標準
4500 V
1875A
2.11 V @ 4000 A
標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）
-
75 mA @ 4500 V
-
クランプ留め
DO-200AC、K-PUK
DO-200AC、K-PUK
-
0
在庫あり
生産中止品
-
バルク
生産中止品
標準
1200 V
3000A
1.41 V @ 4000 A
標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）
-
75 mA @ 1200 V
-
クランプ留め
DO-200AC、K-PUK
DO-200AC、K-PUK
-
0
在庫あり
生産中止品
-
バルク
生産中止品
標準
1600 V
3000A
1.41 V @ 4000 A
標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）
-
75 mA @ 1600 V
-
クランプ留め
DO-200AC、K-PUK
DO-200AC、K-PUK
-
0
在庫あり
生産中止品
-
バルク
生産中止品
標準
2000 V
3000A
1.41 V @ 4000 A
標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）
-
75 mA @ 2000 V
-
クランプ留め
DO-200AC、K-PUK
DO-200AC、K-PUK
-
0
在庫あり
生産中止品
-
バルク
生産中止品
標準
400 V
3800A
1.22 V @ 6000 A
標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）
-
75 mA @ 400 V
-
クランプ留め
DO-200AC、K-PUK
DO-200AC、K-PUK
-
0
在庫あり
生産中止品
-
バルク
生産中止品
標準
800 V
3800A
1.22 V @ 6000 A
標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）
-
75 mA @ 800 V
-
クランプ留め
DO-200AC、K-PUK
DO-200AC、K-PUK
-
0
在庫あり
生産中止品
-
バルク
生産中止品
標準
1000 V
3800A
1.22 V @ 6000 A
標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）
-
75 mA @ 1000 V
-
クランプ留め
DO-200AC、K-PUK
DO-200AC、K-PUK
-
0
在庫あり
生産中止品
-
バルク
生産中止品
標準
1800 V
1825A
2.23 V @ 4000 A
標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）
2 µs
-
-
クランプ留め
DO-200AC、K-PUK
DO-200AC、K-PUK
-40°C～150°C
0
在庫あり
生産中止品
-
バルク
生産中止品
標準
2500 V
1825A
2.23 V @ 4000 A
標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）
2 µs
-
-
クランプ留め
DO-200AC、K-PUK
DO-200AC、K-PUK
-40°C～150°C
0
在庫あり
生産中止品
-
バルク
生産中止品
標準
3000 V
1650A
2.6 V @ 4000 A
高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）
-
-
-
クランプ留め
DO-200AC、K-PUK
DO-200AC、K-PUK
-40°C～150°C
0
在庫あり
生産中止品
-
バルク
生産中止品
標準
2400 V
3000A
1.14 V @ 4000 A
標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）
-
-
-
クランプ留め
DO-200AC、K-PUK
DO-200AC、K-PUK
-40°C～180°C
表示品目
/ 18

整流ダイオードの種類

    標準整流ダイオード
  • 標準ダイオード（シリコンPN接合） 標準ダイオードは最も基本的なタイプの整流ダイオードで、PN接合のシリコンから作られています。これらの部品は、AC-DCコンバータ、電力整流、一般的な回路保護などによく使われています。これらのダイオードは通常、順方向電圧降下が約0.7Vであり、低周波スイッチングに最適です。逆回復時間（スイッチを切ったときに導通が止まるまでの時間）が比較的遅いため、高速アプリケーションでの使用には限界があります。これらはまた、逆方向リーク電流が少ないため、定常動作での信頼性は高くなっています。

  • ショットキーバリアダイオード（SBD）
    ショットキーダイオード（SBD）は、従来のPN接合の代わりに金属-半導体接合を使用するため、スイッチング速度が速く、順方向電圧降下が低く（多くの場合0.2V～0.4V）なります。そのため、DC-DCコンバータや高効率電源、および電力損失を最小限に抑えることが重視される回路に最適です。しかし、SBDの欠点として、特に高温時に逆方向リーク電流が大きくなることが挙げられ、精密機器やバッテリ駆動の機器では懸念要因となります。

  • スーパーバリア整流器（SBR）
    スーパーバリア整流器（SBR）は、標準ダイオードとショットキーダイオードの長所を組み合わせています。SBDのように順方向電圧降下は低いものの、逆方向リーク電流はさらに低く、逆電圧への対応も改善されています。SBRは、エネルギー効率と熱安定性が重要視されるスイッチングパワーコンバータ、アダプタ、車載用電子機器に適しています。アプリケーションに高周囲温度や大きな電圧過渡現象がかかわってくる場合、ショットキーダイオードよりも優れた選択肢となることが少なくありません。

  • アバランシェダイオード
    アバランシェダイオードは、特定の逆電圧閾値を超えると安全に電流を流す逆ブレークダウンモードで確実に動作するように設計されています。ブレークダウンによって損傷を受ける可能性のある標準的なダイオードとは異なり、アバランシェダイオードは、反復的かつ予測的にこうした状況に対処できるように作られています。
    • 高速スイッチング整流では、アバランシェダイオードが標準的なPNダイオードよりも好まれることがあります。その理由は、逆回復動作が改善されるため、スイッチング損失が減少し、コンバータ全体の効率が向上するからです。劣化することなく高い逆電圧過渡現象に耐えるその能力は、スナバ回路、フライバックコンバータ、ハードスイッチトポロジに特に適しています。

  • SiC（シリコンカーバイド）ダイオード
    SiCダイオードは、非常に高い電圧（600V以上）と極端な温度（150°C超）に対応できるワイドバンドギャップ材料であるシリコンカーバイドから作られています。産業用コンバータ、電気自動車充電器、ソーラーインバータ、モータドライブなど、とりわけ高速スイッチングとゼロ逆回復時間を必要とする回路に最適です。シリコンベースのダイオードよりも高価ではありますが、高電圧高周波での耐久性と効率性から、要求の厳しいアプリケーションにとっては長期的に最良の選択肢となることが少なくありません。