53A（Ta） シングルFET、MOSFET

品目 : 3
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メーカー品番
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価格
シリーズ
パッケージ
製品ステータス
FETタイプ
技術
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
Id印加時のVgs（th）（最大）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
Vgs（最大）
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
FET機能
電力散逸（最大）
動作温度
グレード
認定
取り付けタイプ
サプライヤデバイスパッケージ
パッケージ/ケース
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
13,286
在庫あり
1 : ¥880.00000
カット テープ（CT）
2,500 : ¥341.30640
テープ＆リール（TR）
テープ＆リール（TR）
カット テープ（CT）
Digi-Reel®
新規設計向けに不適合
Nチャンネル
GaNFET（窒化ガリウム）
40 V
53A（Ta）
5V
4ミリオーム @ 33A、5V
2.5V @ 9mA
8.7 nC @ 5 V
+6V、-4V
1180 pF @ 20 V
-
-
-40°C～150°C（TJ）
-
-
面実装
ダイ
ダイ
HUF75639S3
PSMN018-100ESFQ
NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100
NXP Semiconductors
4,976
マーケットプレイス
616 : ¥69.62825
バルク
-
バルク
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET（金属酸化物）
100 V
53A（Ta）
7V、10V
18ミリオーム @ 15A、10V
4V @ 1mA
21.4 nC @ 10 V
±20V
1482 pF @ 50 V
-
111W（Ta）
-55°C～175°C（TJ）
-
-
スルーホール
I2PAK
TO-262-3長リード、I2PAK、TO-262AA
AM60N04-12D
AM60N04-12D
MOSFET N-CH 40V 53A TO-252
Analog Power Inc.
5,800
マーケットプレイス
1 : ¥107.00000
バルク
-
バルク
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET（金属酸化物）
40 V
53A（Ta）
4.5V、10V
12ミリオーム @ 20A、10V
1V @ 250µA（最小）
19 nC @ 4.5 V
±20V
1826 pF @ 15 V
-
50W（Ta）
-55°C～150°C（TJ）
-
-
面実装
TO-252（DPAK）
TO-252-3、DPak（2リード + タブ）、SC-63
表示品目
/ 3

53A（Ta） シングルFET、MOSFET

ディスクリート型の電界効果トランジスタ（FET）は、パワー変換、モータ制御、ソリッドステート照明など、大電流を通電しつつ高周波数でのオンオフ切り換え可能な特性が有利な用途で広く使用されます。数百ボルト以下の電圧定格を必要とする用途でほぼ全面的に使用されていますが、これを超える電圧定格ではIGBTなど他のタイプのデバイスが有利になります。