29A(Ta) シングルFET、MOSFET

品目 : 12
メーカー
EPCFairchild SemiconductoronsemiToshiba Semiconductor and Storage
シリーズ
-DTMOSVIDual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™eGaN®
梱包形態
Digi-Reel®カット テープ(CT)チューブテープ&リール(TR)バルク
製品ステータス
アクティブ生産中止品
技術
GaNFET(窒化ガリウム)MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
30 V40 V80 V100 V650 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V、10V5V10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
2.3ミリオーム @ 20A、10V2.6ミリオーム @ 28A、10V3.3ミリオーム @ 16A、5V3.6ミリオーム @ 15A、5V6ミリオーム @ 16A、5V95ミリオーム @ 14.5A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
2.4V @ 250µA2.5V @ 4mA2.5V @ 5.5mA2.5V @ 7mA3V @ 1mA4.5V @ 1.27mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
7.4 nC @ 5 V8.3 nC @ 5 V8.5 nC @ 5 V50 nC @ 10 V64 nC @ 10 V113 nC @ 10 V
Vgs(最大)
+6V、-4V±20V±30V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
851 pF @ 50 V1111 pF @ 20 V1180 pF @ 50 V2880 pF @ 300 V4520 pF @ 15 V5880 pF @ 25 V
電力散逸(最大)
3.3W(Ta)、78W(Tc)3.8W(Ta)、158W(Tc)230W(Tc)-
動作温度
-55°C~150°C(TJ)-55°C~175°C(TJ)-40°C~150°C(TJ)150°C
グレード
-自動車
認定
-AEC-Q101
取り付けタイプ
スルーホール面実装
サプライヤデバイスパッケージ
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-PQFN(5x6)Dual Cool™56TO-247ダイ
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN8-PowerTDFN、5リードTO-247-3ダイ
在庫状況
環境規制対応状況
メディア
マーケットプレイス製品
12品目
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表示品目
/ 12
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メーカー品番
在庫数量
価格
シリーズ
パッケージ
製品ステータス
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
Id印加時のVgs(th)(最大)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
Vgs(最大)
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
FET機能
電力散逸(最大)
動作温度
グレード
認定
取り付けタイプ
サプライヤデバイスパッケージ
パッケージ/ケース
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
58,310
在庫あり
1 : ¥387.00000
カット テープ(CT)
2,500 : ¥174.75200
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルGaNFET(窒化ガリウム)100 V29A(Ta)5V6ミリオーム @ 16A、5V2.5V @ 4mA7.4 nC @ 5 V+6V、-4V851 pF @ 50 V---40°C~150°C(TJ)--面実装ダイダイ
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
7,500
在庫あり
1 : ¥392.00000
カット テープ(CT)
2,500 : ¥176.90920
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルGaNFET(窒化ガリウム)40 V29A(Ta)5V3.6ミリオーム @ 15A、5V2.5V @ 7mA8.5 nC @ 5 V+6V、-4V1111 pF @ 20 V---40°C~150°C(TJ)--面実装ダイダイ
EPC2204A
EPC2204A
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
EPC
27,709
在庫あり
1 : ¥466.00000
カット テープ(CT)
2,500 : ¥209.70280
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルGaNFET(窒化ガリウム)80 V29A(Ta)5V6ミリオーム @ 16A、5V2.5V @ 4mA7.4 nC @ 5 V+6V、-4V851 pF @ 50 V---40°C~150°C(TJ)自動車AEC-Q101面実装ダイダイ
EPC2619
EPC2619
TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
EPC
7,680
在庫あり
1 : ¥559.00000
カット テープ(CT)
2,500 : ¥272.03080
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルGaNFET(窒化ガリウム)100 V29A(Ta)5V3.3ミリオーム @ 16A、5V2.5V @ 5.5mA8.3 nC @ 5 V+6V、-4V1180 pF @ 50 V---40°C~150°C(TJ)--面実装ダイダイ
TEXTISCSD86336Q3DT
FDMS3008SDC
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
onsemi
6,000
マーケットプレイス
231 : ¥195.12987
バルク
バルク
アクティブNチャンネルMOSFET(金属酸化物)30 V29A(Ta)4.5V、10V2.6ミリオーム @ 28A、10V3V @ 1mA64 nC @ 10 V±20V4520 pF @ 15 V-3.3W(Ta)、78W(Tc)-55°C~150°C(TJ)--面実装Dual Cool™568-PowerTDFN
TEXTISCSD86336Q3DT
FDMS3008SDC
29A, 30V, 0.0026OHM, N-CHANNEL,
Fairchild Semiconductor
5,224
マーケットプレイス
231 : ¥195.12987
バルク
バルク
アクティブNチャンネルMOSFET(金属酸化物)30 V29A(Ta)4.5V、10V2.6ミリオーム @ 28A、10V3V @ 1mA64 nC @ 10 V±20V4520 pF @ 15 V-3.3W(Ta)、78W(Tc)-55°C~150°C(TJ)--面実装Dual Cool™568-PowerTDFN
EPC2619ENGRT
EPC2619ENGRT
TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
EPC
18,981
在庫あり
1 : ¥559.00000
カット テープ(CT)
2,500 : ¥272.03080
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
生産中止品NチャンネルGaNFET(窒化ガリウム)100 V29A(Ta)5V3.3ミリオーム @ 16A、5V2.5V @ 5.5mA8.3 nC @ 5 V+6V、-4V1180 pF @ 50 V---40°C~150°C(TJ)--面実装ダイダイ
0
在庫あり
リードタイムを確認
1 : ¥989.00000
チューブ
チューブ
アクティブNチャンネルMOSFET(金属酸化物)650 V29A(Ta)10V95ミリオーム @ 14.5A、10V4.5V @ 1.27mA50 nC @ 10 V±30V2880 pF @ 300 V-230W(Tc)150°C--スルーホールTO-247TO-247-3
8-PQFN TOP
FDMS3008SDC
MOSFET N-CH 30V 29A DUAL COOL56
onsemi
0
在庫あり
生産中止品
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
生産中止品NチャンネルMOSFET(金属酸化物)30 V29A(Ta)4.5V、10V2.6ミリオーム @ 28A、10V3V @ 1mA64 nC @ 10 V±20V4520 pF @ 15 V-3.3W(Ta)、78W(Tc)-55°C~150°C(TJ)--面実装8-PQFN(5x6)8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5830NLT3G
MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
onsemi
0
在庫あり
生産中止品
-
テープ&リール(TR)
生産中止品NチャンネルMOSFET(金属酸化物)40 V29A(Ta)4.5V、10V2.3ミリオーム @ 20A、10V2.4V @ 250µA113 nC @ 10 V±20V5880 pF @ 25 V-3.8W(Ta)、158W(Tc)-55°C~175°C(TJ)自動車AEC-Q101面実装5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-PowerTDFN、5リード
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5830NLWFT1G
MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
onsemi
0
在庫あり
生産中止品
-
テープ&リール(TR)
生産中止品NチャンネルMOSFET(金属酸化物)40 V29A(Ta)4.5V、10V2.3ミリオーム @ 20A、10V2.4V @ 250µA113 nC @ 10 V±20V5880 pF @ 25 V-3.8W(Ta)、158W(Tc)-55°C~175°C(TJ)自動車AEC-Q101面実装5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-PowerTDFN、5リード
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5830NLWFT3G
MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
onsemi
0
在庫あり
生産中止品
-
テープ&リール(TR)
生産中止品NチャンネルMOSFET(金属酸化物)40 V29A(Ta)4.5V、10V2.3ミリオーム @ 20A、10V2.4V @ 250µA113 nC @ 10 V±20V5880 pF @ 25 V-3.8W(Ta)、158W(Tc)-55°C~175°C(TJ)自動車AEC-Q101面実装5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-PowerTDFN、5リード
表示品目
/ 12

29A(Ta) シングルFET、MOSFET


ディスクリート型の電界効果トランジスタ(FET)は、パワー変換、モータ制御、ソリッドステート照明など、大電流を通電しつつ高周波数でのオンオフ切り換え可能な特性が有利な用途で広く使用されます。数百ボルト以下の電圧定格を必要とする用途でほぼ全面的に使用されていますが、これを超える電圧定格ではIGBTなど他のタイプのデバイスが有利になります。