280mA(Ta) シングルFET、MOSFET

品目 : 31
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表示品目
/ 31
メーカー品番
在庫数量
価格
シリーズ
パッケージ
製品ステータス
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
Id印加時のVgs(th)(最大)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
Vgs(最大)
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
FET機能
電力散逸(最大)
動作温度
グレード
認定
取り付けタイプ
サプライヤデバイスパッケージ
パッケージ/ケース
BCV27
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
onsemi
37,276
在庫あり
1 : ¥35.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥8.51933
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
60 V
280mA(Ta)
5V、10V
2オーム @ 500mA、10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-65°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
SOT-23-3
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
BC849C
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Diotec Semiconductor
53,671
在庫あり
1 : ¥24.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥3.44033
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
60 V
280mA(Ta)
5V、10V
5オーム @ 500mA、10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
面実装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
MMFTN2316K
MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C
Diotec Semiconductor
3,883
在庫あり
1 : ¥19.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥2.89867
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
60 V
280mA(Ta)
5V、10V
2オーム @ 500mA、10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
面実装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
PG-SOT323
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Infineon Technologies
81,499
在庫あり
1 : ¥27.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥8.35533
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
60 V
280mA(Ta)
4.5V、10V
3.5オーム @ 200mA、10V
1.4V @ 26µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
43 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C~150°C(TJ)
自動車
AEC-Q101
面実装
PG-SOT323
SC-70、SOT-323
PG-SOT323
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Infineon Technologies
31,689
在庫あり
1 : ¥35.00000
カット テープ(CT)
10,000 : ¥5.79770
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
60 V
280mA(Ta)
4.5V、10V
3.5オーム @ 200mA、10V
1.4V @ 26µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
43 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C~150°C(TJ)
自動車
AEC-Q101
面実装
PG-SOT323
SC-70、SOT-323
41,640
在庫あり
1 : ¥84.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥20.97033
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
60 V
280mA(Ta)
5V、10V
2オーム @ 500mA、10V
2.5V @ 250µA
-
40V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-65°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
SOT-23
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
36,858
在庫あり
1 : ¥95.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥25.34733
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
50 V
280mA(Ta)
1.8V、10V
2オーム @ 50mA、5V
1V @ 250µA
0.76 nC @ 4.5 V
12V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-65°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
SOT-23
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ZVN4306A
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
Diodes Incorporated
8,124
在庫あり
60,000
工場
1 : ¥157.00000
バルク
-
バルク
アクティブ
Pチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
60 V
280mA(Ta)
10V
5オーム @ 500mA、10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 18 V
-
700mW(Ta)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-92
TO-226-3、TO-92-3標準本体(TO-226AA)
ZX5T851A
MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE
Diodes Incorporated
2,157
在庫あり
24,000
工場
2,000 : ¥60.65700
箱入りテープ(TB)
1 : ¥207.00000
カット テープ(CT)
-
カット テープ(CT)
箱入りテープ(TB)
アクティブ
Pチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
60 V
280mA(Ta)
10V
5オーム @ 500mA、10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 18 V
-
700mW(Ta)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
E-Line(TO-92互換)
E-Line-3
100,000
マーケットプレイス
10,000 : ¥0.61650
テープ&リール(TR)
*
テープ&リール(TR)
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
-
280mA(Ta)
10V、4.5V
2.8オーム @ 500mA、10V
2.2V @ 250µA
-
±20V
-
-
300mW(Ta)
-55°C~150°C(TJ)
自動車
AEC-Q101
面実装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SOT-323
BSS FAMILY SOT323 T&R 3K
Diodes Incorporated
0
在庫あり
リードタイムを確認
1 : ¥38.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥7.12600
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
50 V
280mA(Ta)
10V
3.5オーム @ 220mA、10V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
48 pF @ 25 V
-
400mW(Ta)
-55°C~150°C(TJ)
自動車
AEC-Q101
面実装
SOT-323
SC-70、SOT-323
BC849C
MOSFET SOT-23 N 60V 0.28A
Diotec Semiconductor
0
在庫あり
リードタイムを確認
3,000 : ¥5.46567
バルク
-
バルク
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
60 V
280mA(Ta)
5V、10V
2オーム @ 500mA、10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
自動車
AEC-Q101
面実装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
0
在庫あり
リードタイムを確認
30,000 : ¥5.98533
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
100 V
280mA(Ta)
4.5V、10V
6オーム @ 170mA、10V
2.8V @ 250µA
2 nC @ 10 V
±20V
60 pF @ 25 V
-
780mW(Tj)
-55°C~150°C(TJ)
自動車
AEC-Q101
面実装
SOT-23
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SOT-323
BSS FAMILY SOT323 T&R 10K
Diodes Incorporated
0
在庫あり
リードタイムを確認
10,000 : ¥6.12200
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
50 V
280mA(Ta)
10V
3.5オーム @ 220mA、10V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
48 pF @ 25 V
-
400mW(Ta)
-55°C~150°C(TJ)
自動車
AEC-Q101
面実装
SOT-323
SC-70、SOT-323
PG-SOT323
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Infineon Technologies
0
在庫あり
10,000 : ¥8.34470
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
Digi-Keyでは取扱い終了
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
60 V
280mA(Ta)
4.5V、10V
3.5オーム @ 220mA、10V
1.4V @ 26µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
43 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C~150°C(TJ)
自動車
AEC-Q101
面実装
PG-SOT323
SC-70、SOT-323
PG-SOT323
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Infineon Technologies
0
在庫あり
3,000 : ¥9.89900
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
生産中止品
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
60 V
280mA(Ta)
4.5V、10V
3.5オーム @ 220mA、10V
1.4V @ 26µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
43 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C~150°C(TJ)
自動車
AEC-Q101
面実装
PG-SOT323
SC-70、SOT-323
BCV27
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
onsemi
0
在庫あり
3,000 : ¥12.49800
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
生産中止品
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
60 V
280mA(Ta)
5V、10V
2オーム @ 500mA、10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-65°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
SOT-23-3
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SOT-523
MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
Diodes Incorporated
0
在庫あり
3,000 : ¥16.21633
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
生産中止品
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
50 V
280mA(Ta)
1.8V、5V
2オーム @ 50mA、5V
1.2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW(Ta)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
SOT-523
SOT-523
0
在庫あり
9,000 : ¥17.47822
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
生産中止品
Pチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
50 V
280mA(Ta)
5V、10V
2.5オーム @ 500mA、10V
2.5V @ 250µA
-
20V
70 pF @ 25 V
ショットキーダイオード(絶縁型)
150mW(Ta)
-65°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
SOT-563
SOT-563、SOT-666
SOT-23-3
MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3
Diodes Incorporated
0
在庫あり
3,000 : ¥19.77433
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
生産中止品
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
50 V
280mA(Ta)
1.8V、2.7V
3オーム @ 200mA、2.7V
1.2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
SOT-23-3
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
0
在庫あり
リードタイムを確認
7,000 : ¥19.84586
-
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
60 V
280mA(Ta)
5V、10V
2オーム @ 500mA、10V
2.5V @ 250µA
0.59 nC @ 4.5 V
40V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-65°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
SOT-23
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 50V 280MA SOT323
Diodes Incorporated
0
在庫あり
3,000 : ¥21.81800
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
生産中止品
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
50 V
280mA(Ta)
1.8V、2.7V
3オーム @ 200mA、2.7V
1.2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
SOT-323
SC-70、SOT-323
SOT-523
MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
Diodes Incorporated
0
在庫あり
3,000 : ¥23.83100
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
生産中止品
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
50 V
280mA(Ta)
1.8V、2.7V
3オーム @ 200mA、2.7V
1.2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW(Ta)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
SOT-523
SOT-523
BCV27
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
onsemi
0
在庫あり
10,000 : ¥26.36120
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
生産中止品
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
60 V
280mA(Ta)
5V、10V
2オーム @ 500mA、10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-65°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
SOT-23-3
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ZVN4306A
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
Diodes Incorporated
0
在庫あり
2,000 : ¥45.97850
バルク
-
バルク
生産中止品
Pチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
60 V
280mA(Ta)
10V
5オーム @ 500mA、10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 18 V
-
700mW(Ta)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-92
TO-226-3、TO-92-3標準本体(TO-226AA)
表示品目
/ 31

シングルFET、MOSFET


単一電界効果トランジスタ(FET)と金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)は、電子信号の増幅やスイッチングに使用されるトランジスタの一種です。

シングルFETは、ゲート端子に印加される電圧によって発生する電界を通じて、ソース端子とドレイン端子間の電流の流れを制御することで動作します。FETの主な利点は入力インピーダンスが高いことで、信号増幅やアナログ回路での使用に最適です。これらの部品は電子回路の増幅器発振器バッファ段などのアプリケーションに広く使われています。

FETの一種であるMOSFETは、ゲート端子が薄い酸化膜によってチャンネルから絶縁されているため、性能が向上し、高効率となります。MOSFETはさらに2つのタイプに分類できます:

MOSFETは、低消費電力、高速スイッチング、高電流・高電圧に対応できることから、多くのアプリケーションで好まれています。これらの部品は、電源、モータドライバ、高周波アプリケーションなど、デジタルおよびアナログ回路において極めて重要です。

MOSFETの動作は2つのモードに分けられます:

  • エンハンスメントモード:このモードでは、ゲート~ソース間電圧がゼロのとき、MOSFETはノーマリオフとなります。オンするには、正のゲート~ソース間電圧(nチャンネル用)または負のゲート~ソース間電圧(pチャンネル用)が必要です。
  • デプレッションモード:このモードでは、ゲート~ソース間電圧がゼロのとき、MOSFETはノーマリオンとなります。逆極性のゲート~ソース間電圧を印加することでオフにすることができます。

MOSFETには次のような利点があります:

  1. 高効率:消費電力が非常に小さく、高速に状態を切り替えることができるため、電源管理アプリケーションでは非常に効率的です。
  2. 低オン抵抗:オン時の抵抗値が低く、電力損失と発熱を最小限に抑えます。
  3. 高い入力インピーダンス:絶縁ゲート構造により入力インピーダンスが非常に高く、高インピーダンス信号増幅に最適です。

要約すると、シングルFET、特にMOSFETは、現代のエレクトロニクスにおける基本的な部品であり、その効率、スピード、そして低電力信号増幅から高電力スイッチングや制御まで、幅広いアプリケーション向けの汎用性で知られています。