シングルFET、MOSFET

品目 : 5
在庫状況
環境規制対応状況
メディア
マーケットプレイス製品
5品目
適用されたフィルタ すべて削除
表示品目
/ 5
メーカー品番
在庫数量
価格
シリーズ
パッケージ
製品ステータス
FETタイプ
技術
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
Id印加時のVgs（th）（最大）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
Vgs（最大）
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
FET機能
電力散逸（最大）
動作温度
取り付けタイプ
サプライヤデバイスパッケージ
パッケージ/ケース
TO-247-3
G2R1000MT17D
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
6,641
在庫あり
1 : ¥889.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET（炭化ケイ素）
1700 V
5A（Tc）
20V
1.2オーム @ 2A、20V
5.5V @ 500µA
11 nC @ 20 V
+25V、-10V
111 pF @ 1000 V
-
44W（Tc）
-55°C～175°C（TJ）
スルーホール
TO-247-3
TO-247-3
G2R50MT33K
G2R50MT33K
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
41
在庫あり
1 : ¥48,313.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET（炭化ケイ素）
3300 V
63A（Tc）
20V
50ミリオーム @ 40A、20V
3.5V @ 10mA（標準）
340 nC @ 20 V
+25V、-10V
7301 pF @ 1000 V
-
536W（Tc）
-55°C～175°C（TJ）
スルーホール
TO-247-4
TO-247-4
TO-263-8
G2R1000MT17J
SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
10,534
在庫あり
1 : ¥1,052.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET（炭化ケイ素）
1700 V
3A（Tc）
20V
1.2オーム @ 2A、20V
4V @ 2mA
-
+20V、-10V
139 pF @ 1000 V
-
54W（Tc）
-55°C～175°C（TJ）
面実装
TO-263-7
TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
TO-263-8
G2R1000MT33J
SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
1,877
在庫あり
1 : ¥3,054.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET（炭化ケイ素）
3300 V
4A（Tc）
20V
1.2オーム @ 2A、20V
3.5V @ 2mA
21 nC @ 20 V
+20V、-5V
238 pF @ 1000 V
-
74W（Tc）
-55°C～175°C（TJ）
面実装
TO-263-7
TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
TO-263-8
G2R120MT33J
SIC MOSFET N-CH TO263-7
GeneSiC Semiconductor
0
在庫あり
リードタイムを確認
100 : ¥15,194.68000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
SiCFET（炭化ケイ素）
3300 V
35A
20V
156ミリオーム @ 20A、20V
-
145 nC @ 20 V
+25V、-10V
3706 pF @ 1000 V
-
-
-55°C～175°C（TJ）
面実装
TO-263-7
TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
表示品目
/ 5

シングルFET、MOSFET

ディスクリート型の電界効果トランジスタ（FET）は、パワー変換、モータ制御、ソリッドステート照明など、大電流を通電しつつ高周波数でのオンオフ切り換え可能な特性が有利な用途で広く使用されます。数百ボルト以下の電圧定格を必要とする用途でほぼ全面的に使用されていますが、これを超える電圧定格ではIGBTなど他のタイプのデバイスが有利になります。