135A(Tc) シングルFET、MOSFET

品目 : 18
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/ 18
メーカー品番
在庫数量
価格
シリーズ
パッケージ
製品ステータス
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
Id印加時のVgs(th)(最大)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
Vgs(最大)
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
FET機能
電力散逸(最大)
動作温度
グレード
認定
取り付けタイプ
サプライヤデバイスパッケージ
パッケージ/ケース
8PowerTDFN
T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
onsemi
284
在庫あり
1 : ¥242.00000
カット テープ(CT)
1,500 : ¥104.53933
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
80 V
135A(Tc)
6V、10V
3ミリオーム @ 31A、10V
3.6V @ 153µA
38 nC @ 10 V
±20V
2680 pF @ 40 V
-
119W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN、5リード
PowerPAK 8x8
MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
9,835
在庫あり
1 : ¥581.00000
カット テープ(CT)
2,000 : ¥218.64200
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
100 V
135A(Tc)
4.5V、10V
3.4ミリオーム @ 20A、10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
7350 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
自動車
AEC-Q101
面実装
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
965
在庫あり
1 : ¥1,659.00000
チューブ
チューブ
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
600 V
135A(Tc)
10V
16ミリオーム @ 62.5A、10V
4.7V @ 1.48mA
171 nC @ 10 V
±20V
7545 pF @ 400 V
-
625W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
スルーホール
PG-TO220-3-1
TO-220-3
DMTH8008LPSQ-13
MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
5,020
在庫あり
947,500
工場
1 : ¥246.00000
カット テープ(CT)
2,500 : ¥74.31040
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Pチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
30 V
135A(Tc)
5V、10V
3.8ミリオーム @ 20A、10V
2.6V @ 250µA
127 nC @ 10 V
±25V
3775 pF @ 15 V
-
1.5W
-55°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
RQ3E120ATTB
NCH 40V 135A, HSMT8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
3,000
在庫あり
1 : ¥366.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥104.68967
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
40 V
135A(Tc)
6V、10V
2.5ミリオーム @ 40A、10V
4V @ 1mA
32 nC @ 10 V
±20V
1930 pF @ 20 V
-
2.4W(Ta)、93W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
面実装
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
8-PowerTDFN, 5 Leads
T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
onsemi
2,117
在庫あり
9,000
工場
1 : ¥458.00000
カット テープ(CT)
1,500 : ¥146.21333
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
80 V
135A(Tc)
10V
3ミリオーム @ 31A、10V
3.6V @ 153µA
38 nC @ 10 V
±20V
2680 pF @ 40 V
-
119W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
自動車
AEC-Q101
面実装、濡れ性フランク
5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
8-PowerTDFN、5リード
464
在庫あり
1 : ¥1,794.00000
カット テープ(CT)
750 : ¥1,024.31467
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
600 V
135A(Tc)
10V
16ミリオーム @ 62.5A、10V
4.7V @ 1.48mA
171 nC @ 10 V
±20V
7545 pF @ 400 V
-
625W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
PG-HDSOP-22
22-PowerBSOPモジュール
INFIRFIRF6621TRPBF
MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET
International Rectifier
12,946
マーケットプレイス
205 : ¥219.54146
バルク
バルク
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
40 V
135A(Tc)
6V、10V
2.3ミリオーム @ 81A、 10V
3.9V @ 100µA
81 nC @ 10 V
±20V
3913 pF @ 25 V
-
74W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
DirectFET™アイソメトリックMF
DirectFET™アイソメトリックMF
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Infineon Technologies
0
在庫あり
208
マーケットプレイス
180 : ¥249.61667
バルク
バルク
チューブ
Digi-Keyでは取扱い終了
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
55 V
135A(Tc)
10V
4.7ミリオーム @ 104A、10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
5110 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
D2PAK
TO-263-3、D2PAK(2リード + タブ)、TO-263AB
INFIRFIRF6621TRPBF
IRF7483 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Infineon Technologies
3,799
マーケットプレイス
205 : ¥219.54146
バルク
バルク
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
40 V
135A(Tc)
6V、10V
2.3ミリオーム @ 81A、 10V
3.9V @ 100µA
81 nC @ 10 V
±20V
3913 pF @ 25 V
-
74W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
DirectFET™アイソメトリックMF
DirectFET™アイソメトリックMF
MJD32CTF-ON
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
International Rectifier
24,000
マーケットプレイス
134 : ¥336.82836
バルク
バルク
生産中止品
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
55 V
135A(Tc)
-
4.7ミリオーム @ 104A、10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
-
5110 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
自動車
AEC-Q101
面実装
D2PAK
TO-263-3、D2PAK(2リード + タブ)、TO-263AB
442
在庫あり
1 : ¥138.00000
カット テープ(CT)
2,500 : ¥98.56040
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
40 V
135A(Tc)
4.5V、10V
3.8ミリオーム @ 19A、10V
2.5V @ 250µA
104 nC @ 10 V
±20V
5509 pF @ 20 V
-
125W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
TO-252(DPAK)
TO-252-3、DPAK(2リード + タブ)、SC-63
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
0
在庫あり
リードタイムを確認
3,000 : ¥58.33100
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
40 V
135A(Tc)
10V
3.2ミリオーム @ 10A、10V
3.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
2508 pF @ 25 V
-
117W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
自動車
AEC-Q101
面実装、濡れ性フランク
PowerPAK® 1212-8SLW
8-PowerVDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Infineon Technologies
0
在庫あり
800 : ¥228.15250
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
生産中止品
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
55 V
135A(Tc)
10V
4.7ミリオーム @ 104A、10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
5110 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
D2PAK
TO-263-3、D2PAK(2リード + タブ)、TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Infineon Technologies
0
在庫あり
1 : ¥559.00000
カット テープ(CT)
800 : ¥198.11625
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
生産中止品
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
55 V
135A(Tc)
10V
4.7ミリオーム @ 104A、10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
5110 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
面実装
D2PAK
TO-263-3、D2PAK(2リード + タブ)、TO-263AB
TO-262-3
MOSFET N-CH 55V 135A TO262
Infineon Technologies
0
在庫あり
生産中止品
チューブ
生産中止品
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
55 V
135A(Tc)
10V
4.7ミリオーム @ 104A、10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
5110 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
-
-
スルーホール
TO-262
TO-262-3長リード、I2PAK、TO-262AA
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Infineon Technologies
0
在庫あり
Digi-Keyでは取扱い終了
チューブ
Digi-Keyでは取扱い終了
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
55 V
135A(Tc)
10V
4.7ミリオーム @ 104A、10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
5110 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C~175°C(TJ)
自動車
AEC-Q101
面実装
D2PAK
TO-263-3、D2PAK(2リード + タブ)、TO-263AB
DirectFET Isometric MF
MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
在庫あり
生産中止品
テープ&リール(TR)
生産中止品
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
40 V
135A(Tc)
6V、10V
2.3ミリオーム @ 81A、 10V
3.9V @ 100µA
81 nC @ 10 V
±20V
3913 pF @ 25 V
-
74W(Tc)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
DirectFET™アイソメトリックMF
DirectFET™アイソメトリックMF
表示品目
/ 18

シングルFET、MOSFET


単一電界効果トランジスタ(FET)と金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)は、電子信号の増幅やスイッチングに使用されるトランジスタの一種です。

シングルFETは、ゲート端子に印加される電圧によって発生する電界を通じて、ソース端子とドレイン端子間の電流の流れを制御することで動作します。FETの主な利点は入力インピーダンスが高いことで、信号増幅やアナログ回路での使用に最適です。これらの部品は電子回路の増幅器発振器バッファ段などのアプリケーションに広く使われています。

FETの一種であるMOSFETは、ゲート端子が薄い酸化膜によってチャンネルから絶縁されているため、性能が向上し、高効率となります。MOSFETはさらに2つのタイプに分類できます:

MOSFETは、低消費電力、高速スイッチング、高電流・高電圧に対応できることから、多くのアプリケーションで好まれています。これらの部品は、電源、モータドライバ、高周波アプリケーションなど、デジタルおよびアナログ回路において極めて重要です。

MOSFETの動作は2つのモードに分けられます:

  • エンハンスメントモード:このモードでは、ゲート~ソース間電圧がゼロのとき、MOSFETはノーマリオフとなります。オンするには、正のゲート~ソース間電圧(nチャンネル用)または負のゲート~ソース間電圧(pチャンネル用)が必要です。
  • デプレッションモード:このモードでは、ゲート~ソース間電圧がゼロのとき、MOSFETはノーマリオンとなります。逆極性のゲート~ソース間電圧を印加することでオフにすることができます。

MOSFETには次のような利点があります:

  1. 高効率:消費電力が非常に小さく、高速に状態を切り替えることができるため、電源管理アプリケーションでは非常に効率的です。
  2. 低オン抵抗:オン時の抵抗値が低く、電力損失と発熱を最小限に抑えます。
  3. 高い入力インピーダンス:絶縁ゲート構造により入力インピーダンスが非常に高く、高インピーダンス信号増幅に最適です。

要約すると、シングルFET、特にMOSFETは、現代のエレクトロニクスにおける基本的な部品であり、その効率、スピード、そして低電力信号増幅から高電力スイッチングや制御まで、幅広いアプリケーション向けの汎用性で知られています。