102A（Ta） シングルFET、MOSFET

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シリーズ
パッケージ
製品ステータス
FETタイプ
技術
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
Id印加時のVgs（th）（最大）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
Vgs（最大）
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
FET機能
電力散逸（最大）
動作温度
グレード
認定
取り付けタイプ
サプライヤデバイスパッケージ
パッケージ/ケース
EPC2304
EPC2304
TRANS GAN 200V .005OHM 7QFN
EPC
5,186
在庫あり
1 : ¥1,261.00000
カット テープ（CT）
3,000 : ¥550.19333
テープ＆リール（TR）
テープ＆リール（TR）
カット テープ（CT）
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
GaNFET（窒化ガリウム）
200 V
102A（Ta）
5V
3.1ミリオーム @ 32A、5V
2.5V @ 8mA
24 nC @ 5 V
+6V、-4V
3195 pF @ 100 V
-
-
-55°C～150°C（TJ）
-
-
面実装
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
EPC2304ENGRT
EPC2304ENGRT
TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
EPC
0
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10,000 : ¥652.77190
テープ＆リール（TR）
テープ＆リール（TR）
カット テープ（CT）
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
GaNFET（窒化ガリウム）
200 V
102A（Ta）
5V
3.1ミリオーム @ 32A、5V
2.5V @ 8mA
24 nC @ 5 V
+6V、-4V
3195 pF @ 100 V
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-55°C～150°C（TJ）
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面実装
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
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102A（Ta） シングルFET、MOSFET

ディスクリート型の電界効果トランジスタ（FET）は、パワー変換、モータ制御、ソリッドステート照明など、大電流を通電しつつ高周波数でのオンオフ切り換え可能な特性が有利な用途で広く使用されます。数百ボルト以下の電圧定格を必要とする用途でほぼ全面的に使用されていますが、これを超える電圧定格ではIGBTなど他のタイプのデバイスが有利になります。