4A(Ta) シングルFET、MOSFET

品目 : 238
メーカー
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.
シリーズ
-DeepGATE™, STripFET™ H6eGaN®HEXFET®MDmesh™NexFET™PJWPowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSIVU-MOSVIU-MOSVII-HUMW
梱包形態
Digi-Reel®カット テープ(CT)チューブテープ&リール(TR)トレイバルク
製品ステータス
Digi-Keyでは取扱い終了アクティブ新規設計向けに不適合生産中止品
FETタイプ
NチャンネルPチャンネル
技術
GaNFET(窒化ガリウム)MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
12 V20 V25 V28 V30 V40 V45 V60 V65 V80 V100 V150 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
1.5V、4.5V1.5V、4V1.5V、8V1.8V、10V1.8V、4.5V1.8V、4V2.5V、10V2.5V、4.5V2.5V、8V4V、10V4.5V、10V5V6V、10V10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
20ミリオーム @ 6A、4.5V22ミリオーム @ 4A、4.5V26ミリオーム @ 2A、4.5V29ミリオーム @ 4A、4.5V29ミリオーム @ 6.4A、4.5V30ミリオーム @ 4A、4.5V31ミリオーム @ 4A、4.5V33ミリオーム @ 4A、4.5V34ミリオーム @ 1A、4.5V35ミリオーム @ 4A、10V35ミリオーム @ 4A、4.5V36ミリオーム @ 2.4A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大)
900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.05V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 1mA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.3V @ 1mA1.3V @ 250µA1.4V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
0.45 nC @ 5 V0.48 nC @ 5 V1.34 nC @ 4.5 V2.2 nC @ 4.5 V2.7 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 4.5 V3.3 nC @ 4 V3.3 nC @ 5 V3.6 nC @ 4.5 V3.7 nC @ 4.5 V3.8 nC @ 4.5 V4.3 nC @ 4 V
Vgs(最大)
-8V-8V、0V-6V+6V、-4V+6V、-8V±8V+10V、-20V±10V+12V、 -8V+12V、-5V±12V±16V+20V、-25V±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
52 pF @ 20 V52 pF @ 32.5 V55 pF @ 50 V143 pF @ 10 V177 pF @ 100 V180 pF @ 10 V190 pF @ 30 V194 pF @ 240 V200 pF @ 10 V220 pF @ 25 V228 pF @ 50 V235 pF @ 15 V
FET機能
-ショットキーダイオード(本体)ショットキーダイオード(絶縁型)
電力散逸(最大)
350mW(Ta)400mW(Ta)、12.5W(Tc)480mW(Ta)、7W(Tc)500mW(Ta)500mW(Ta)、8.33W(Tc)510mW(Ta)510mW(Ta)、4.15W(Tc)510mW(Ta)、7W(Tc)550mW(Ta)600mW(Ta)610mW(Ta) 、8.3W(Tc)620mW(Ta)、77W(Tc)
動作温度
-65°C~150°C(TJ)-55°C~150°C(TJ)-55°C~175°C(TJ)-40°C~150°C(TJ)150°C150°C(TA)150°C(TJ)
グレード
-自動車
認定
-AEC-Q100AEC-Q101
取り付けタイプ
スルーホール面実装
サプライヤデバイスパッケージ
3-CPH3-MCPH4-WLCSP(0.78x0.78)6-CMFPAK6-CPH6-DFN(1.6x1.6)6-DFN(2x2)6-MCPH6-TSOP6-TSOP-F6-UDFN(2x2)8-DFN(5x6)
パッケージ/ケース
3-PowerVDFN3-SMD、SOT-23-3可変3-SMD、フラットリード3-SMD、フラットリード3-XFDFN4-XFBGA、WLCSP6-PowerUDFN6-PowerUFDFN6-PowerWDFN6-PowerWFDFN6-SMD、フラットリード6-TSSOP、SC-88、SOT-363
在庫状況
環境規制対応状況
メディア
マーケットプレイス製品
238品目
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表示品目
/ 238
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メーカー品番
在庫数量
価格
シリーズ
パッケージ
製品ステータス
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
Id印加時のVgs(th)(最大)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
Vgs(最大)
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
FET機能
電力散逸(最大)
動作温度
グレード
認定
取り付けタイプ
サプライヤデバイスパッケージ
パッケージ/ケース
SOT-23-3
DMN2056U-7
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Diodes Incorporated
109,548
在庫あり
1,596,000
工場
1 : ¥64.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥14.07600
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルMOSFET(金属酸化物)20 V4A(Ta)1.5V、4.5V38ミリオーム @ 3.6A、4.5V1V @ 250µA4.3 nC @ 4.5 V±8V339 pF @ 10 V-940mW-55°C~150°C(TJ)--面実装SOT-23-3TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SOT-23-3
DMG3418L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
83,737
在庫あり
111,000
工場
1 : ¥66.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥14.65733
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルMOSFET(金属酸化物)30 V4A(Ta)2.5V、10V60ミリオーム @ 4A、10V1.5V @ 250µA5.5 nC @ 4.5 V±12V464.3 pF @ 15 V-1.4W(Ta)-55°C~150°C(TJ)--面実装SOT-23-3TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SOT-23-3
DMG3402L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
964,337
在庫あり
486,000
工場
1 : ¥68.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥12.57533
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルMOSFET(金属酸化物)30 V4A(Ta)2.5V、10V52ミリオーム @ 4A、10V1.4V @ 250µA11.7 nC @ 10 V±12V464 pF @ 15 V-1.4W(Ta)-55°C~150°C(TJ)--面実装SOT-23-3TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
162,310
在庫あり
1 : ¥69.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥12.57533
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブPチャンネルMOSFET(金属酸化物)30 V4A(Ta)4V、10V71ミリオーム @ 3A、10V2V @ 100µA5.9 nC @ 10 V±20V280 pF @ 15 V-1W(Ta)150°C(TJ)--面実装SOT-23FSOT-23-3フラットリード
22,394
在庫あり
1 : ¥69.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥12.57533
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルMOSFET(金属酸化物)30 V4A(Ta)1.8V、4.5V55ミリオーム @ 4A、4.5V--±12V190 pF @ 30 V-1W(Ta)150°C(TJ)--面実装SOT-23FSOT-23-3フラットリード
45,053
在庫あり
1 : ¥77.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥13.83267
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルMOSFET(金属酸化物)30 V4A(Ta)2.5V、10V50ミリオーム @ 4A、10V1.5V @ 250µA16 nC @ 10 V±12V340 pF @ 15 V-1.3W(Ta)-55°C~150°C(TJ)--面実装SOT-23-33-SMD、SOT-23-3可変
TSMT3
RUR040N02TL
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Rohm Semiconductor
2,995
在庫あり
1 : ¥106.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥40.05333
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルMOSFET(金属酸化物)20 V4A(Ta)1.5V、4.5V35ミリオーム @ 4A、4.5V1.3V @ 1mA8 nC @ 4.5 V±10V680 pF @ 10 V-1W(Ta)150°C(TJ)--面実装TSMT3SC-96
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
10,750
在庫あり
1 : ¥364.00000
カット テープ(CT)
2,500 : ¥164.22720
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルGaNFET(窒化ガリウム)100 V4A(Ta)5V160ミリオーム @ 500mA、5V2.5V @ 250µA0.48 nC @ 5 V+6V、-4V55 pF @ 50 V---40°C~150°C(TJ)--面実装ダイダイ
PowerPAK SO-8
SI7846DP-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
18,931
在庫あり
1 : ¥378.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥170.64500
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルMOSFET(金属酸化物)150 V4A(Ta)10V50ミリオーム @ 5A、10V4.5V @ 250µA36 nC @ 10 V±20V--1.9W(Ta)-55°C~150°C(TJ)--面実装PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
eGaN Series
EPC8004
GANFET N-CH 40V 4A DIE
EPC
8,615
在庫あり
1 : ¥513.00000
カット テープ(CT)
2,500 : ¥249.41160
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルGaNFET(窒化ガリウム)40 V4A(Ta)5V110ミリオーム @ 500mA、5V2.5V @ 250µA0.45 nC @ 5 V+6V、-4V52 pF @ 20 V---40°C~150°C(TJ)--面実装ダイダイ
18,392
在庫あり
1 : ¥1,493.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブNチャンネルMOSFET(金属酸化物)1500 V4A(Ta)15V7オーム @ 2A、15V--±20V1700 pF @ 10 V-125W(Tc)150°C(TJ)--スルーホールTO-3PTO-3P-3、SC-65-3
MMFTP3401
MMFTP3401
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3
Diotec Semiconductor
19,085
在庫あり
1 : ¥51.00000
カット テープ(CT)
-
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブPチャンネルMOSFET(金属酸化物)30 V4A(Ta)2.5V、10V65ミリオーム @ 4A、10V1.3V @ 250µA-±12V954 pF @ 0 V-500mW(Ta)150°C(TJ)--面実装SOT-23-3(TO-236)TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
5,016
在庫あり
1 : ¥60.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥15.25633
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブPチャンネルMOSFET(金属酸化物)20 V4A(Ta)1.5V、4.5V42.7ミリオーム @ 3A、4.5V1V @ 1mA12.8 nC @ 4.5 V+6V、-8V840 pF @ 10 V-1W(Ta)150°C--面実装UF66-SMD、フラットリード
TO-236AB
PMV48XPA2R
MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Nexperia USA Inc.
18,297
在庫あり
1 : ¥58.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥15.48467
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブPチャンネルMOSFET(金属酸化物)20 V4A(Ta)2.5V、8V49ミリオーム @ 4A、8V1.3V @ 250µA10 nC @ 4.5 V±12V679 pF @ 10 V-610mW(Ta) 、8.3W(Tc)-55°C~175°C(TJ)自動車AEC-Q101面実装TO-236ABTO-236-3、SC-59、SOT-23-3
19,722
在庫あり
1 : ¥60.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥10.75200
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブPチャンネルMOSFET(金属酸化物)20 V4A(Ta)1.8V、4.5V57ミリオーム @ 4A、4.5V1.2V @ 250µA18 nC @ 4.5 V±12V756 pF @ 10 V-1.25W(Ta)-55°C~150°C(TJ)--面実装SOT-23TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SOT-23-3
AO3434A
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
38,936
在庫あり
1 : ¥61.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥13.37800
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
新規設計向けに不適合NチャンネルMOSFET(金属酸化物)30 V4A(Ta)2.5V、10V52ミリオーム @ 4A、10V1.5V @ 250µA10 nC @ 10 V±12V245 pF @ 15 V-1.4W(Ta)-55°C~150°C(TJ)--面実装SOT-23-33-SMD、SOT-23-3可変
SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
SSM3K376R,LXHF
SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Toshiba Semiconductor and Storage
3,000
在庫あり
1 : ¥64.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥16.52767
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルMOSFET(金属酸化物)30 V4A(Ta)1.8V、4.5V56ミリオーム @ 2A、4.5V1V @ 1mA2.2 nC @ 4.5 V+12V、 -8V200 pF @ 10 V-1W(Ta)150°C自動車AEC-Q101面実装SOT-23FSOT-23-3フラットリード
SOT-23-3
DMN3053L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
5,396
在庫あり
93,000
工場
1 : ¥63.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥17.08700
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルMOSFET(金属酸化物)30 V4A(Ta)2.5V、10V45ミリオーム @ 4A、10V1.4V @ 250µA17.2 nC @ 10 V±12V676 pF @ 15 V-760mW(Ta)-55°C~150°C(TJ)--面実装SOT-23-3TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SOT-23-3 Flat Leads
SSM3K345R,LF
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Toshiba Semiconductor and Storage
26,894
在庫あり
1 : ¥69.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥14.54100
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルMOSFET(金属酸化物)20 V4A(Ta)1.5V、4.5V33ミリオーム @ 4A、4.5V1V @ 1mA3.6 nC @ 4.5 V±8V410 pF @ 10 V-1W(Ta)150°C(TJ)--面実装SOT-23FSOT-23-3フラットリード
7,904
在庫あり
1 : ¥69.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥11.94667
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルMOSFET(金属酸化物)30 V4A(Ta)1.8V、4.5V56ミリオーム @ 2A、4.5V1V @ 1mA2.2 nC @ 4.5 V+12V、 -8V200 pF @ 10 V-2W(Ta)150°C--面実装SOT-23FSOT-23-3フラットリード
TO-261-4, TO-261AA
PJW4N06A-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
6,070
在庫あり
1 : ¥66.00000
カット テープ(CT)
2,500 : ¥22.43080
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルMOSFET(金属酸化物)60 V4A(Ta)4.5V、10V100ミリオーム @ 3A、10V2.5V @ 250µA5.1 nC @ 4.5 V±20V509 pF @ 15 V-3.7W(Ta)-55°C~175°C(TJ)自動車AEC-Q101面実装SOT-223TO-261-4、TO-261AA
15,198
在庫あり
1 : ¥71.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥12.26100
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブPチャンネルMOSFET(金属酸化物)30 V4A(Ta)4V、10V71ミリオーム @ 3A、10V2V @ 100µA5.9 nC @ 10 V+10V、-20V280 pF @ 15 V-1W(Ta)150°C--面実装SOT-23FSOT-23-3フラットリード
BC817-16-TP
SI3415-TP
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
Micro Commercial Co
14,598
在庫あり
1 : ¥68.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥18.05333
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブPチャンネルMOSFET(金属酸化物)20 V4A(Ta)1.8V、4.5V50ミリオーム @ 4A、4.5V1V @ 250µA17.2 nC @ 4.5 V±8V1450 pF @ 10 V-350mW(Ta)-55°C~150°C(TJ)--面実装SOT-23TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
TO-261-4, TO-261AA
PJW4P06A_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
5,455
在庫あり
1 : ¥68.00000
カット テープ(CT)
2,500 : ¥22.52680
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブPチャンネルMOSFET(金属酸化物)60 V4A(Ta)4.5V、10V110ミリオーム @ 4A、10V2.5V @ 250µA10 nC @ 10 V±20V785 pF @ 30 V-3.1W(Ta)-55°C~150°C(TJ)--面実装SOT-223TO-261-4、TO-261AA
SOT-23-3
DMG3415UQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
3,106
在庫あり
1 : ¥68.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥22.86267
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブPチャンネルMOSFET(金属酸化物)20 V4A(Ta)1.8V、4.5V42.5ミリオーム @ 4A、4.5V1V @ 250µA9.1 nC @ 4.5 V±8V294 pF @ 10 V-900mW(Ta)-55°C~150°C(TJ)自動車AEC-Q101面実装SOT-23-3TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
表示品目
/ 238

4A(Ta) シングルFET、MOSFET


ディスクリート型の電界効果トランジスタ(FET)は、パワー変換、モータ制御、ソリッドステート照明など、大電流を通電しつつ高周波数でのオンオフ切り換え可能な特性が有利な用途で広く使用されます。数百ボルト以下の電圧定格を必要とする用途でほぼ全面的に使用されていますが、これを超える電圧定格ではIGBTなど他のタイプのデバイスが有利になります。