シングルFET、MOSFET

品目 : 3
メーカー
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
シリーズ
-TrenchMOS™
梱包形態
Digi-Reel®カット テープ(CT)テープ&リール(TR)
FETタイプ
NチャンネルPチャンネル
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
40 V50 V60 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
300mA(Tc)360mA(Ta)11A(Ta)、61A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V、10V5V、10V10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
15ミリオーム @ 10A、10V2オーム @ 270mA、10V5オーム @ 500mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
1.5V @ 100µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
1.2 nC @ 10 V67 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V±30V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
45.8 pF @ 25 V50 pF @ 10 V4004 pF @ 20 V
電力散逸(最大)
320mW(Ta)830mW(Ta)1.6W(Ta)
動作温度
-65°C~150°C(TJ)-55°C~150°C(TJ)
サプライヤデバイスパッケージ
PowerDI5060-8SOT-323TO-236AB
パッケージ/ケース
8-PowerTDFNSC-70、SOT-323TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
在庫状況
環境規制対応状況
メディア
マーケットプレイス製品
3品目

表示品目
/ 3
比較
メーカー品番
在庫数量
価格
シリーズ
パッケージ
製品ステータス
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
Id印加時のVgs(th)(最大)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
Vgs(最大)
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
FET機能
電力散逸(最大)
動作温度
グレード
認定
取り付けタイプ
サプライヤデバイスパッケージ
パッケージ/ケース
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
638,029
在庫あり
1 : ¥46.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥7.81367
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
60 V
300mA(Tc)
10V
5オーム @ 500mA、10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW(Ta)
-65°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
TO-236AB
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SOT-323
DMN53D0LW-7
MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Diodes Incorporated
139,231
在庫あり
1 : ¥46.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥7.70733
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
50 V
360mA(Ta)
5V、10V
2オーム @ 270mA、10V
1.5V @ 100µA
1.2 nC @ 10 V
±20V
45.8 pF @ 25 V
-
320mW(Ta)
-55°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
SOT-323
SC-70、SOT-323
DMPH4015SPSQ-13
DMP4013SPSQ-13
MOSFET P-CH 40V 11A PWRDI5060
Diodes Incorporated
2,648
在庫あり
2,500
工場
1 : ¥212.00000
カット テープ(CT)
2,500 : ¥87.79600
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
Pチャンネル
MOSFET(金属酸化物)
40 V
11A(Ta)、61A(Tc)
4.5V、10V
15ミリオーム @ 10A、10V
3V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
4004 pF @ 20 V
-
1.6W(Ta)
-55°C~150°C(TJ)
自動車
AEC-Q101
面実装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
表示品目
/ 3

シングルFET、MOSFET


ディスクリート型の電界効果トランジスタ(FET)は、パワー変換、モータ制御、ソリッドステート照明など、大電流を通電しつつ高周波数でのオンオフ切り換え可能な特性が有利な用途で広く使用されます。数百ボルト以下の電圧定格を必要とする用途でほぼ全面的に使用されていますが、これを超える電圧定格ではIGBTなど他のタイプのデバイスが有利になります。