シングルFET、MOSFET

品目 : 6
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/ 6
メーカー品番
在庫数量
価格
シリーズ
パッケージ
製品ステータス
FETタイプ
技術
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
Id印加時のVgs（th）（最大）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
Vgs（最大）
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
FET機能
電力散逸（最大）
動作温度
グレード
認定
取り付けタイプ
サプライヤデバイスパッケージ
パッケージ/ケース
EPC2214
EPC2214
GANFET N-CH 80V 10A DIE
EPC
12,976
在庫あり
1 : ¥373.00000
カット テープ（CT）
2,500 : ¥109.81240
テープ＆リール（TR）
-
テープ＆リール（TR）
カット テープ（CT）
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
GaNFET（窒化ガリウム）
80 V
10A（Ta）
5V
20ミリオーム @ 6A、5V
2.5V @ 2mA
2.2 nC @ 5 V
+6V、-4V
238 pF @ 40 V
-
-
-40°C～150°C（TJ）
自動車
AEC-Q101
面実装
ダイ
ダイ
EPC2050
EPC2050
TRANS GAN BUMPED DIE
EPC
6,313
在庫あり
1 : ¥1,004.00000
カット テープ（CT）
2,500 : ¥406.58360
テープ＆リール（TR）
テープ＆リール（TR）
カット テープ（CT）
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
GaNFET（窒化ガリウム）
350 V
6.3A（Ta）
5V
180ミリオーム @ 6A、5V
2.5V @ 1mA
4 nC @ 5 V
+6V、-4V
628 pF @ 280 V
-
-
-40°C～150°C（TJ）
-
-
面実装
ダイ
ダイ
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
0
在庫あり
リードタイムを確認
1 : ¥1,197.00000
カット テープ（CT）
3,000 : ¥547.58433
テープ＆リール（TR）
テープ＆リール（TR）
カット テープ（CT）
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
GaNFET（窒化ガリウム）
100 V
101A（Ta）
5V
1.8ミリオーム @ 50A、5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V、-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C～150°C（TJ）
-
-
面実装
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
EPC2361
EPC2361ENGRT
TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN
EPC
0
在庫あり
リードタイムを確認
1 : ¥1,467.00000
カット テープ（CT）
3,000 : ¥671.42267
テープ＆リール（TR）
-
テープ＆リール（TR）
カット テープ（CT）
Digi-Reel®
アクティブ
-
-
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-
EPC2305ENGRT
EPC2305ENGRT
TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
EPC
0
在庫あり
3,000 : ¥615.47067
テープ＆リール（TR）
テープ＆リール（TR）
カット テープ（CT）
Digi-Reel®
Digi-Keyでは取扱い終了
Nチャンネル
GaNFET（窒化ガリウム）
150 V
102A（Tj）
5V
3ミリオーム @ 30A、5V
2.5V @ 11mA
28.6 nC @ 5 V
+6V、-4V
4165 pF @ 75 V
-
-
-40°C～150°C（TJ）
-
-
面実装
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
EPC2304ENGRT
EPC2304ENGRT
TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
EPC
0
在庫あり
リードタイムを確認
10,000 : ¥652.77190
テープ＆リール（TR）
テープ＆リール（TR）
カット テープ（CT）
Digi-Reel®
アクティブ
Nチャンネル
GaNFET（窒化ガリウム）
200 V
102A（Ta）
5V
3.1ミリオーム @ 32A、5V
2.5V @ 8mA
24 nC @ 5 V
+6V、-4V
3195 pF @ 100 V
-
-
-55°C～150°C（TJ）
-
-
面実装
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
表示品目
/ 6

シングルFET、MOSFET

ディスクリート型の電界効果トランジスタ（FET）は、パワー変換、モータ制御、ソリッドステート照明など、大電流を通電しつつ高周波数でのオンオフ切り換え可能な特性が有利な用途で広く使用されます。数百ボルト以下の電圧定格を必要とする用途でほぼ全面的に使用されていますが、これを超える電圧定格ではIGBTなど他のタイプのデバイスが有利になります。