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FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
Id印加時のVgs(th)(最大)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
Vgs(最大)
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
FET機能
電力散逸(最大)
動作温度
取り付けタイプ
サプライヤデバイスパッケージ
パッケージ/ケース
2N7002-13-F
DMN3053L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
28,499
在庫あり
1 : ¥56.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥15.97900
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルMOSFET(金属酸化物)30 V4A(Ta)2.5V、10V45ミリオーム @ 4A、10V1.4V @ 250µA17.2 nC @ 10 V±12V676 pF @ 15 V-760mW(Ta)-55°C~150°C(TJ)面実装SOT-23-3TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
CSD-6-SON Pkg
CSD16301Q2
MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Texas Instruments
2,015
在庫あり
9,000
Factory
1 : ¥92.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥31.07000
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブNチャンネルMOSFET(金属酸化物)25 V5A(Tc)3V、8V24ミリオーム @ 4A、8V1.55V @ 250µA2.8 nC @ 4.5 V+10V、-8V340 pF @ 12.5 V-2.3W(Ta)-55°C~150°C(TJ)面実装6-SON6-SMD、フラットリード
表示品目
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シングルFET、MOSFET


ディスクリート型の電界効果トランジスタ(FET)は、パワー変換、モータ制御、ソリッドステート照明など、大電流を通電しつつ高周波数でのオンオフ切り換え可能な特性が有利な用途で広く使用されます。数百ボルト以下の電圧定格を必要とする用途でほぼ全面的に使用されていますが、これを超える電圧定格ではIGBTなど他のタイプのデバイスが有利になります。