シングルバイポーラトランジスタ

品目 : 4
メーカー
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemi
梱包形態
Digi-Reel®カット テープ(CT)テープ&リール(TR)
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
200 mA600 mA
Vce飽和(最大) @ lb、Ic
300mV @ 5mA、50mA1V @ 50mA、500mA
電流 - コレクタ遮断(最大)
10nA(ICBO)50nA(ICBO)-
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
100 @ 10mA、1V100 @ 150mA、10V
電力 - 最大
225 mW250 mW300 mW310 mW
動作温度
-55°C~150°C(TJ)150°C(TJ)
グレード
-自動車
認定
-AEC-Q101
サプライヤデバイスパッケージ
SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)TO-236AB
在庫状況
環境規制対応状況
メディア
マーケットプレイス製品
4品目

表示品目
/ 4
比較
メーカー品番
在庫数量
価格
シリーズ
パッケージ
製品ステータス
トランジスタタイプ
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
Vce飽和(最大) @ lb、Ic
電流 - コレクタ遮断(最大)
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
電力 - 最大
周波数 - トランジション
動作温度
グレード
認定
取り付けタイプ
パッケージ/ケース
サプライヤデバイスパッケージ
TO-236AB
MMBT3904,215
TRANS NPN 40V 0.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
916,612
在庫あり
1 : ¥20.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥3.50500
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
NPN
200 mA
40 V
300mV @ 5mA、50mA
50nA(ICBO)
100 @ 10mA、1V
250 mW
300MHz
150°C(TJ)
自動車
AEC-Q101
面実装
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
TO-236AB
SOT-23-3
MMBT2222A-7-F
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Diodes Incorporated
1,541,940
在庫あり
1 : ¥23.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥3.56800
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
NPN
600 mA
40 V
1V @ 50mA、500mA
10nA(ICBO)
100 @ 150mA、10V
310 mW
300MHz
-55°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SOT-23-3
SOT 23-3
MMBT2222ALT1G
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
onsemi
737,993
在庫あり
1 : ¥25.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥4.40767
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
NPN
600 mA
40 V
1V @ 50mA、500mA
10nA(ICBO)
100 @ 150mA、10V
225 mW
300MHz
-55°C~150°C(TJ)
自動車
AEC-Q101
面実装
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SOT-23-3(TO-236)
SOT 23-3
MMBT3904LT1G
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
onsemi
1,553,598
在庫あり
1 : ¥27.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥4.74333
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブ
NPN
200 mA
40 V
300mV @ 5mA、50mA
-
100 @ 10mA、1V
300 mW
300MHz
-55°C~150°C(TJ)
-
-
面実装
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SOT-23-3(TO-236)
表示品目
/ 4

シングルバイポーラトランジスタ


ディスクリート型のバイポーラ接合トランジスタ(BJT)はオーディオや無線通信、その他の用途でアナログ信号増幅をするために一般的に使用されます。大量生産された最初の半導体デバイスの1つであり、その特性は高周波スイッチング、高電流または高電圧での動作を伴う用途には他のデバイスタイプよりも不利ですが、ノイズおよび歪みの発生を最小限に抑えたアナログ信号再生を必要とする用途では、依然として選ばれている技術です。BJTにはNPNとPNPの2種類があり、これはトランジスタを構成する半導体層の順番を表しています。NPNトランジスタ は2つのN型材料の間にある薄いP型半導体で構成されていますが、 PNPトランジスタ は2つのP型の間にN型半導体があります。これにより、2 つのタイプは逆極性で動作します。NPNトランジスタは電流を吐き出し、PNPトランジスタは電流を吸い込みます。