SIHFR1N60ATR-GE3 は購入可能ですが、通常は在庫がありません。
購入可能な代替品:

パラメータ等価


Vishay Siliconix
在庫あり: 2,716
単価 : ¥404.00000
データシート

パラメータ等価


Vishay Siliconix
在庫あり: 0
単価 : ¥127.96300
データシート

パラメータ等価


Vishay Siliconix
在庫あり: 5,457
単価 : ¥404.00000
データシート

パラメータ等価


Vishay Siliconix
在庫あり: 0
単価 : ¥271.00000
データシート

類似


Rohm Semiconductor
在庫あり: 0
単価 : ¥0.00000
データシート

類似


Taiwan Semiconductor Corporation
在庫あり: 3,671
単価 : ¥194.00000
データシート
Nチャンネル 600 V 1.4A(Tc) 36W(Tc) 面実装 TO-252AA
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SIHFR1N60ATR-GE3

DigiKey製品番号
SIHFR1N60ATR-GE3-ND - テープ&リール(TR)
メーカー
メーカー製品番号
SIHFR1N60ATR-GE3
商品概要
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
メーカーの標準リードタイム
59 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 600 V 1.4A(Tc) 36W(Tc) 面実装 TO-252AA
データシート
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製品属性
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カテゴリ
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 250µA
メーカー
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
14 nC @ 10 V
梱包形態
テープ&リール(TR)
Vgs(最大)
±30V
部品状況
アクティブ
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
229 pF @ 25 V
FETタイプ
電力散逸(最大)
36W(Tc)
技術
動作温度
-55°C~150°C(TJ)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
600 V
取り付けタイプ
面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
サプライヤデバイスパッケージ
TO-252AA
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
パッケージ/ケース
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
7オーム @ 840mA、10V
ベース品番
環境および輸出に関する分類
製品に関する質問と回答
関連リソース
代替品リスト(6)
品番メーカー 在庫数量DigiKey製品番号 単価 代替品のタイプ
IRFR1N60APBFVishay Siliconix2,716IRFR1N60APBF-ND¥404.00000パラメータ等価
IRFR1N60ATRLPBFVishay Siliconix0IRFR1N60ATRLPBFTR-ND¥127.96300パラメータ等価
IRFR1N60ATRPBFVishay Siliconix5,457IRFR1N60APBFCT-ND¥404.00000パラメータ等価
SIHFR1N60A-GE3Vishay Siliconix0SIHFR1N60A-GE3-ND¥271.00000パラメータ等価
RDD020N60TLRohm Semiconductor0RDD020N60TL-ND¥0.00000類似
受注発注品
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価格はすべてJPYです
テープ&リール(TR)
数量 単価 請求価格
2,000¥57.32750¥114,655
メーカーの標準パッケージ
単価(消費税抜き):¥57.32750
単価(消費税込み):¥63.06025