TO-263-3
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
TO-263-3
TO-263-3

SIHB21N80AE-GE3

DigiKey製品番号
742-SIHB21N80AE-GE3-ND
メーカー
Vishay Siliconix
メーカー製品番号
SIHB21N80AE-GE3
商品概要
MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
メーカーの標準リードタイム
25 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 800 V 17.4A（Tc） 32W（Tc） 面実装 TO-263（D2PAK）
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
SIHB21N80AE-GE3 モデル
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Vishay Siliconix
シリーズ
E
梱包形態
チューブ
部品状況
アクティブ
FETタイプ
Nチャンネル
技術
MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
800 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
17.4A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
235ミリオーム @ 11A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）
4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
72 nC @ 10 V
Vgs（最大）
±30V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
1388 pF @ 100 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
32W（Tc）
動作温度
-55°C～150°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
TO-263（D2PAK）
パッケージ/ケース
TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番
SIHB21
製品に関する質問と回答

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在庫：655個
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数量
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チューブ
数量 単価 請求価格
1¥625.00000¥625
10¥409.70000¥4,097
100¥287.52000¥28,752
500¥235.34200¥117,671
1,000¥218.58100¥218,581
2,000¥209.42650¥418,853
メーカーの標準パッケージ
注：製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。
単価（消費税抜き）:¥625.00000
単価（消費税込み）:¥687.50000
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