SI4447DY-T1-E3 Vishay Siliconix | ディスクリート半導体製品

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SI4447DY-T1-E3
DigiKey製品番号	SI4447DY-T1-E3TR-ND - テープ＆リール（TR） SI4447DY-T1-E3CT-ND - カットテープ（CT） SI4447DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI4447DY-T1-E3
商品概要	MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 40 V 3.3A（Ta） 1.1W（Ta）面実装 8-SOIC
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SI4447DY-T1-E3 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	40 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	3.3A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	72ミリオーム @ 4.5A、15V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	14 nC @ 4.5 V
Vgs（最大）	±16V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	805 pF @ 20 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	1.1W（Ta）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOIC
パッケージ/ケース	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
ベース品番	SI4447