Name: STB30N65M2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB30N65M2AGTR-ND
Price: 909.7 JPY
Availability: InStock

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STB30N65M2AG
DigiKey製品番号	497-STB30N65M2AGTR-ND - テープ＆リール（TR） 497-STB30N65M2AGCT-ND - カットテープ（CT） 497-STB30N65M2AGDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	STMicroelectronics
メーカー製品番号	STB30N65M2AG
商品概要	MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 20A（Tc） 190W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	STB30N65M2AG モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	STMicroelectronics
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	購入可能最終日あり
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	20A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	180ミリオーム @ 10A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	30.8 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±25V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1440 pF @ 100 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	190W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	TO-263（D2PAK）
パッケージ/ケース	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番	STB30