IRFS3306PBF Infineon Technologies | ディスクリート半導体製品

型	商品概要	選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	HEXFET®
パッケージ	チューブ
製品ステータス	Digi-Keyでは取扱い終了
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	60 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	120A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	4.2ミリオーム @ 75A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 150µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	120 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	4520 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	230W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	D2PAK
パッケージ/ケース	TO-263-3、D²Pak（2リード + タブ）、TO-263AB

リソースタイプ	リンク
データシート	IRF(B,S,SL)3306PbF
その他関連ドキュメント	IR Part Numbering System
プロダクトレーニングモジュール	High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
ハイライト製品	Automatic Opening Systems Data Processing Systems
HTMLデータシート	IRF(B,S,SL)3306PbF
シミュレーションモデル	IRFB3306PBF Saber Model