Name: NVMFS6H801NWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H801NWFT1GTR-ND
Price: 614.9 JPY
Availability: InStock

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NVMFS6H801NWFT1G
DigiKey製品番号	488-NVMFS6H801NWFT1GTR-ND - テープ＆リール（TR） 488-NVMFS6H801NWFT1GCT-ND - カットテープ（CT） 488-NVMFS6H801NWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	NVMFS6H801NWFT1G
商品概要	MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
メーカーの標準リードタイム	19 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 80 V 23A（Ta）、157A（Tc） 3.8W（Ta）、166W（Tc）面実装、濡れ性フランク 5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	onsemi
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	80 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	23A（Ta）、157A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	2.8ミリオーム @ 50A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	64 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	4120 pF @ 40 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	3.8W（Ta）、166W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装、濡れ性フランク
サプライヤデバイスパッケージ	5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN、5リード
ベース品番	NVMFS6