Name: NTMTSC1D6N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND
Price: 1284.8 JPY
Availability: InStock

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NTMTSC1D6N10MCTXG
DigiKey製品番号	488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND - テープ＆リール（TR） 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT-ND - カットテープ（CT） 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	NTMTSC1D6N10MCTXG
商品概要	MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
メーカーの標準リードタイム	21 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 35A（Ta）、267A（Tc） 5.1W（Ta）、291W（Tc）面実装、濡れ性フランク 8-TDFNW（8.3x8.4）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	NTMTSC1D6N10MCTXG モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	onsemi
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	35A（Ta）、267A（Tc）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	1.7ミリオーム @ 90A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 650µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	106 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	7630 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	5.1W（Ta）、291W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装、濡れ性フランク
サプライヤデバイスパッケージ	8-TDFNW（8.3x8.4）
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
ベース品番	NTMTSC1