FQPF17P10 onsemi | ディスクリート半導体製品

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写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

製品属性

型	商品概要	選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー	onsemi
シリーズ	QFET®
パッケージ	チューブ
製品ステータス	生産中止品
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	10.5A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	190ミリオーム @ 5.25A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	39 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±30V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1100 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	41W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220F-3
パッケージ/ケース	TO-220-3フルパッッケージ
ベース品番	FQPF1