Name: ISC033N03LF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC033N03LF2SATMA1TR-ND
Price: 99 JPY
Availability: InStock

新製品

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ISC033N03LF2SATMA1
DigiKey製品番号	448-ISC033N03LF2SATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-ISC033N03LF2SATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-ISC033N03LF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	ISC033N03LF2SATMA1
商品概要	ISC033N03LF2SATMA1
メーカーの標準リードタイム	26 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 22A（Ta）、108A（Tc） 3W（Ta）、71W（Tc）面実装 PG-TDSON-8-62
データシート	データシート
EDA/CADモデル	ISC033N03LF2SATMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	StrongIRFET™ 2
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	22A（Ta）、108A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	3.3ミリオーム @ 30A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.35V @ 30µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	32 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1400 pF @ 15 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	3W（Ta）、71W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TDSON-8-62
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN

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