IRF6218PBF Infineon Technologies | ディスクリート半導体製品

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	HEXFET®
梱包形態	チューブ
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	150 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	27A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	150ミリオーム @ 16A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	110 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2210 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	250W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220AB
パッケージ/ケース	TO-220-3