Name: IMBG65R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R020M2HXTMA1TR-ND
Price: 2411.2 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

IMBG65R020M2HXTMA1
DigiKey製品番号	448-IMBG65R020M2HXTMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IMBG65R020M2HXTMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IMBG65R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IMBG65R020M2HXTMA1
商品概要	SILICON CARBIDE MOSFET
メーカーの標準リードタイム	23 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 91A（Tc） 326W（Tc）面実装 PG-TO263-7-12
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	CoolSiC™ Gen 2
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	91A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	15V、20V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	24ミリオーム @ 46.9A、18V
Id印加時のVgs（th）（最大）	5.6V @ 9.5mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	57 nC @ 18 V
Vgs（最大）	+23V、-7V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2038 pF @ 400 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	326W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO263-7-12
パッケージ/ケース	TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
ベース品番	IMBG65R020