Name: GC11N65D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GC11N65D5TR-ND
Price: 436.7 JPY
Availability: InStock

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GC11N65D5
DigiKey製品番号	3141-GC11N65D5TR-ND - テープ＆リール（TR） 3141-GC11N65D5CT-ND - カットテープ（CT） 3141-GC11N65D5DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Goford Semiconductor
メーカー製品番号	GC11N65D5
商品概要	N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
メーカーの標準リードタイム	8 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 11A（Tc） 78W（Tc）面実装 8-DFN（4.9x5.75）
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Goford Semiconductor
シリーズ	SuperJunction
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	11A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	360ミリオーム @ 5.5A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	21 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±30V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	901 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	78W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-DFN（4.9x5.75）
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN