小型QFN 8x8パッケージの650V SiC(シリコンカーバイド)ショットキーダイオード

WolfspeedのSiC(シリコンカーバイド)650Vショットキーダイオード技術は、高性能パワーエレクトロニクスアプリケーション向けに最適化

「Wolfspeedの第6世代SiCショットキーバリアダイオード」の画像WolfspeedのSiC(シリコンカーバイド)ショットキーバリアダイオードの性能上の利点により、パワーエレクトロニクスシステムは、Siベースのソリューションよりも高い効率基準を満たすと同時に、より高い周波数と電力密度に到達することが期待できます。SiCダイオードは、熱暴走を心配することなく、簡単に並列化して、様々なアプリケーションの要求を満たすことができます。SiC製品の冷却要件の低さと熱性能の向上とを組み合わせることで、SiCダイオードは様々なアプリケーションでシステム全体のコストを削減できます。

特長
  • 正の温度係数での低い順方向電圧(VF)降下
  • ゼロ逆回復電流/順回復電圧
  • 温度依存性のないスイッチング動作
  • 低インダクタンスの薄型パッケージ
利点
  • より低い伝導損失でシステム効率を改善
  • 高スイッチング周波数動作を実現
  • システムレベルの電力密度を向上
  • システムのサイズ、重量、冷却要件を軽減
応用
  • エンタープライズ電源、サーバ、およびテレコム電源
  • スイッチモード電源
  • 産業用電源
  • 昇圧力率補正
  • ブートストラップダイオード
  • LLCクランピング

650 V Silicon Carbide Schottky Diodes in Compact QFN 8x8 Package

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量詳細を閲覧
8A 650V SIC SCHOTTKY QFNC6D08065Q-TR8A 650V SIC SCHOTTKY QFN0詳細を閲覧
10A 650V SIC SCHOTTKY QFNC6D10065Q-TR10A 650V SIC SCHOTTKY QFN203 - 即時詳細を閲覧
6A 650V SIC SCHOTTKY QFNC6D06065Q-TR6A 650V SIC SCHOTTKY QFN2671 - 即時詳細を閲覧
刊行: 2022-02-01

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