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第3世代のトレンチタイプSiC MOSFET

ROHMの独自の設計は、低いオン抵抗および高速スイッチング速度で高耐電圧を実現

Image of ROHM's 3rd Generation Trench-Type SiC MOSFETsROHMの第3 世代のSiC MOSFETは、既存のプレーナタイプのSiC MOSFETと比べてオン抵抗を50%、入力静電容量を35%低減する専用のトレンチゲート構造を利用しています。 これは、大幅に低いスイッチング損失およびより高速のスイッチング速度を意味し、種々の装置での電力損失を低減しながらも効率を向上します。

主な利点

  • 低いオン抵抗は、インバータ電力密度を向上
  • 高速スイッチングをサポート
  • 寄生ダイオードの最小の逆回復特性
  • 小型のQgおよび寄生静電容量
  • 寄生ダイオード導通によって引き起こされる劣化を排除
  • 高温度動作(Tjmax=175°C)に対応

3rd Generation Trench-Type SiC MOSFETs

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MOSFET NCH 650V 93A TO247NSCT3022ALGC11MOSFET NCH 650V 93A TO247N1157 - 即時詳細を閲覧
MOSFET NCH 650V 70A TO247NSCT3030ALGC11MOSFET NCH 650V 70A TO247N4873 - 即時詳細を閲覧
MOSFET NCH 650V 39A TO247NSCT3060ALGC11MOSFET NCH 650V 39A TO247N353 - 即時詳細を閲覧
MOSFET NCH 650V 21A TO247NSCT3120ALGC11MOSFET NCH 650V 21A TO247N2826 - 即時詳細を閲覧
MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247NSCT3030KLGC11MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N1083 - 即時詳細を閲覧
MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247NSCT3040KLGC11MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N1589 - 即時詳細を閲覧
MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247NSCT3080KLGC11MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N3354 - 即時詳細を閲覧
MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247NSCT3160KLGC11MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N7886 - 即時詳細を閲覧
刊行: 2016-08-15